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        利用FinFET優(yōu)勢(shì)的六種方式

        作者: 時(shí)間:2018-08-02 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        臺(tái)積電已經(jīng)發(fā)布了其重要的第四代16nm 工藝制程,16FFC(16nm Compact), 并進(jìn)入量產(chǎn)階段。 為了能夠充分發(fā)揮好工藝制程的功耗,性能和面積(PPA)上的優(yōu)勢(shì), 必須要求我們的設(shè)計(jì)人員將有相關(guān)工藝知識(shí)的設(shè)計(jì)戰(zhàn)略和優(yōu)化的IP相結(jié)合,其中包括了標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)和嵌入式存儲(chǔ)器。在這有六種方式去實(shí)現(xiàn)它。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/201808/384954.htm

        (1) 利用制程縮小的優(yōu)勢(shì)

        16FFC 工藝制程擁有更小的晶體管間距(Poly 到Poly 間距)、更小的金屬線間距(線到線、VIA到線和VIA到VIA)用來(lái)走線和更小的存儲(chǔ)器單元, 相比于臺(tái)積電28nm制程,16FFC 工藝已經(jīng)超越了摩爾定律對(duì)于面積和性能在工藝節(jié)點(diǎn)上的縮小。 制程同時(shí)也能產(chǎn)生更高的單位面積的飽和電流來(lái)促進(jìn)更小尺寸的邏輯單元達(dá)到更好的性能。IP設(shè)計(jì)人員可以利用這些縮小的工藝尺寸和改進(jìn)的晶體管性能去構(gòu)建更小/更快的邏輯單元和存儲(chǔ)器。SoC 模塊設(shè)計(jì)人員能夠利用這些優(yōu)勢(shì)去快速地收斂關(guān)鍵路勁上的時(shí)序,但是我們也必須意識(shí)到這些細(xì)小的,高阻抗的線所帶來(lái)的更高的線延遲還有復(fù)雜的信號(hào)電源網(wǎng)絡(luò)所產(chǎn)生的電遷移顧慮。

        圖1所示,使用正確的IP,16FFC的設(shè)計(jì)可以超越摩爾定律的縮小規(guī)則,其面積可達(dá)到相同設(shè)計(jì)在28nm制程上的一半,而性能更快30%以上。


        圖1:面積與性能– 28nm與16nm在CPU上的實(shí)現(xiàn)(來(lái)源:Synopsys)

        (2) 柵極漏電的降低與動(dòng)態(tài)功耗的增加之間的平衡

        16FFC制程可以提供寬泛的閾值電壓(VT)和溝道長(zhǎng)度的選擇來(lái)滿足于各種各樣對(duì)于性能和漏電流權(quán)衡的情況。圖2羅列了邏輯單元的性能相對(duì)于漏電流的分布(在對(duì)數(shù)尺度上),以此來(lái)說(shuō)明用相同的邏輯單元和不同的VT、溝道長(zhǎng)度來(lái)實(shí)現(xiàn)性能和功耗的權(quán)衡。


        圖2: 相對(duì)性能與相對(duì)漏電流對(duì)應(yīng)每個(gè)VT和溝道長(zhǎng)度, 7.5 track (T) 超高密度邏輯單元庫(kù)(來(lái)源:Synopsys)

        很多移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備絕大部分的時(shí)間是處在待機(jī)或者休眠狀態(tài),此時(shí)唯一的功耗就是漏電。FinFET的Ion/Ioff比值更高是由于其豎直的鰭式結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)的平面型器件相比,F(xiàn)inFET還能在更低電壓下運(yùn)行,來(lái)進(jìn)一步減少漏電。

        總的功耗是動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)漏電之和。FinFET擁有更低的漏電流相比于平面型節(jié)點(diǎn)工藝,但是它也消耗更高的動(dòng)態(tài)功耗,其原因在于Fin式結(jié)構(gòu)而增加的輸入電容和更高的飽和電流。

        這種對(duì)于相對(duì)靜態(tài)漏電和動(dòng)態(tài)功耗之間的變化要求我們也需要有不同于28nm的設(shè)計(jì)方案。 圖3顯示了從180nm到16nm,漏電功耗占SoC總功耗的百分比。它表明了利用FinFET工藝設(shè)計(jì)的工作相對(duì)于平面型工藝來(lái)說(shuō),并不需要太多考慮漏電流的減少,而在于更多努力來(lái)控制動(dòng)態(tài)功耗。


        圖3:從180nm到16nm,漏電功耗占SoC總功耗的百分比(來(lái)源:Synopsys)

        (3) 管理動(dòng)態(tài)功耗

        設(shè)計(jì)人員可以通過(guò)時(shí)鐘門(mén)翻轉(zhuǎn)頻率的管理,降低電容和最小化操作電壓來(lái)控制動(dòng)態(tài)功耗。 通過(guò)優(yōu)化的版圖和更短的走線來(lái)降低線電容。輸入電容的最小化可以通過(guò)利用給定的功能和頻率來(lái)選取最優(yōu)化高度的設(shè)計(jì)單元庫(kù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)單元能夠被構(gòu)建在不同的高度下(整數(shù)倍的N、P fins)來(lái)滿足于不同模塊對(duì)于性能和可靠性的頻率要求。例如, 圖4顯示了1X驅(qū)動(dòng)能力的反相器在3個(gè)不同軌道高度上的輸入電容 (7.5T, 9T, 10.5T)


        圖4:1X 驅(qū)動(dòng)反相器的輸入電容(來(lái)源:Synopsys)

        根據(jù)模塊的功能和頻率,如果用超高密度的7.5T設(shè)計(jì)單元庫(kù)來(lái)實(shí)現(xiàn),在性能上相比于用高密度9T單元庫(kù)來(lái)說(shuō)沒(méi)有那么好,但是由于器件電容的減少,功耗也會(huì)降低25%。

        動(dòng)態(tài)功耗同樣可以通過(guò)V^2這個(gè)系數(shù)用更低的操作電壓來(lái)降低,如圖5所示,模塊之間在不同操作電壓下的漏電功耗(虛線)和動(dòng)態(tài)功耗(實(shí)線)。


        圖5:多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電壓下性能與漏電和動(dòng)態(tài)功耗的比較(來(lái)源:Synopsys)

        (4) 優(yōu)化邏輯庫(kù)設(shè)計(jì)

        充分利用臺(tái)積電16FFC制程的一個(gè)重要途徑是確保您使用的邏輯庫(kù)是經(jīng)過(guò)最大繞線密度的優(yōu)化。在這有多種方法可以去實(shí)線。

        (4a) 減少面積和總功耗的高效版圖

        充分利用先進(jìn)工藝的制程是至關(guān)重要的,比如利用在擴(kuò)散區(qū)邊緣可連續(xù)的多晶硅特性要比傳統(tǒng)的單晶硅更小5%的繞線面積。

        (4b) 組合單元

        優(yōu)化寄存器到寄存器路徑需要一套豐富的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù),其包含了各種特定功能,驅(qū)動(dòng)能力和實(shí)現(xiàn)功能的單元。這些功能單元是綜合創(chuàng)建高效電路所必不可少的。優(yōu)化的版圖技術(shù)是要求充分利用最先進(jìn)的布線算法,最大化pin口的訪問(wèn)和減少或者消除布局擁堵。先進(jìn)的綜合和布局布線工具能夠發(fā)揮出一套擁有豐富驅(qū)動(dòng)能力選擇的單元庫(kù)的優(yōu)勢(shì),來(lái)處理拓?fù)溥壿嬙O(shè)計(jì)和物理實(shí)際差距之間單元不同的的扇形輸出和負(fù)載。

        (4c) 時(shí)序單元

        人們有時(shí)將觸發(fā)器的設(shè)置和延遲時(shí)間稱(chēng)為停滯時(shí)間。它會(huì)消耗掉每個(gè)時(shí)鐘周期里面處理實(shí)際計(jì)算工作的有效時(shí)間。

        (5) 巧妙地運(yùn)用不同的觸發(fā)器

        我們可以通過(guò)運(yùn)用多組高性能觸發(fā)器來(lái)減少停滯時(shí)間。 延遲優(yōu)化的觸發(fā)器(多重延遲觸發(fā)器)能夠快速地向關(guān)鍵路徑邏輯集群發(fā)送信號(hào)。設(shè)置時(shí)序優(yōu)化的觸發(fā)器(多重設(shè)置時(shí)序觸發(fā)器)可作為捕獲寄存器,來(lái)延長(zhǎng)多重增量中可用的時(shí)鐘周期。綜合布局布線優(yōu)化工具能夠被約束去使用這些多重設(shè)置和延遲觸發(fā)器來(lái)實(shí)現(xiàn)更多15-20%的性能提升。

        (6) 存儲(chǔ)器編譯器設(shè)計(jì)

        DesignWare 儲(chǔ)存器編譯器擁有先進(jìn)的功耗管理功能,能夠提供輕度睡眠模式,深度睡眠模式,斷電模糊和雙電源供電模式,以及讀寫(xiě)輔助電路功能。同時(shí)還可以搭配DesignWare STAR Memory System ,來(lái)提供一套完整的嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試方案,完成從偵測(cè)到修復(fù)制造過(guò)程中的失效。

        圖6:適用于各種應(yīng)用環(huán)境下的DesignWare Memory Compilers(來(lái)源:Synopsys)

        總結(jié)

        臺(tái)積電的16FFC工藝制程已經(jīng)改進(jìn)了面積的工藝設(shè)計(jì)規(guī)則,晶體管的性能和功耗比以及縮小了工藝偏差,使得我們可以用更小的設(shè)計(jì)規(guī)模來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的性能,同時(shí)功耗也更低。為了能夠充分利用好先進(jìn)工藝的優(yōu)勢(shì),設(shè)計(jì)者需要能夠獲取優(yōu)化的IP模塊,邏輯單元庫(kù)和存儲(chǔ)器編譯器,同時(shí)能運(yùn)用好綜合布局布線工具來(lái)達(dá)到他們的最佳效果。



        關(guān)鍵詞: FinFET synopsys

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