開關(guān)損耗

MOS

開關(guān)損耗的組成

開關(guān)功耗 PS

對感性負(fù)載

通態(tài)功耗 PON

斷態(tài)損耗 POFF 一般忽略

驅(qū)動損耗 PGATE 根據(jù)不同器件確定

吸收回路的損耗 根據(jù)具體的吸收回路及其參數(shù)而定

MOSFET 、IGBT等壓控器件的驅(qū)動 損耗要小于電流型驅(qū)動器件

二極管

二極管的損耗在高頻下是重要的損耗

一般二級管: trr為1-10微秒,可用于低頻整流;

快恢二極管：trr小于1個微秒;

超快恢二級管trr小于100納秒(外延法制造)。

肖特基二級管trr在10納秒左右

二極管的關(guān)斷過程

吸收回路

RCD snubber

舉例：已知變換器Vce = 200V, tf = 0.2μs , tr = 0.05μs , 工作頻率100kHz ，晶體管集電極電流Ic=2A, 求變換器的開關(guān)晶體管緩沖器的有關(guān)參數(shù).

RCD snubber的等效接法

復(fù)合snubber電路

同時進行電壓緩沖和電流緩沖，主要是減小器件開通時的di/dt和關(guān)斷時的dv/dt，使導(dǎo)通和關(guān)斷過程的損耗均有所降低。

無損snubber電路