今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預期。

　　而需求方面，手機、服務器、數(shù)據(jù)中心依然表現(xiàn)強勢。

　　不過，來自集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)的最新報告稱，在明年，NAND閃存的市場將達到一種穩(wěn)態(tài)局面。其中，供給側(cè)的產(chǎn)能將提升42.9%，而需求側(cè)，增長預計在37.7%。

　　目前在3D閃存方面，三星的轉(zhuǎn)產(chǎn)最為順利，已經(jīng)在Q3開始量產(chǎn)64層堆疊，而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。

　　據(jù)悉，在明年的所有3D閃存中，3D閃存出貨的占比預計將最高可達70%，其中三星預計60%～70%、SK海力士預計40%～50%、東芝預計50%、美光/Intel合計預計在40%～50%。