在 9 月 19 日于北京舉行的英特爾精尖制造日上，英特爾在其展示區(qū)域和主題演講上展示了五款晶圓。

　　這是英特爾首次公開展示這五款晶圓，彰顯了我們在制造領(lǐng)域取得的巨大進(jìn)步。

　　五款全球首次展出晶圓

　　英特爾 10 納米Cannonlake

　　英特爾 10 納米 Arm 測試芯片

　　英特爾 22FFL

　　14 納米展訊 SC9861G-IA

　　14 納米展訊 SC9853

　　英特爾 Cannonlake 10 納米

　　英特爾 10 納米制程工藝:

　　? 不僅擁有全球最密集的晶體管和金屬間距，還采用了超微縮特性，這兩大優(yōu)勢保證了密度的領(lǐng)先性

　　? 比競爭友商的“10 納米”技術(shù)領(lǐng)先了整整一代

　　? 計劃于 2017 年下半年開始生產(chǎn)

　　? 超微縮可釋放出多模式方案的全部價值，使得英特爾得以繼續(xù)摩爾定律的經(jīng)濟(jì)效益

　　英特爾 10 納米Cannonlake

　　英特爾與Arm在10nm的合作

　　取得了長足的進(jìn)步：

　　1. 英特爾 10nm CPU測試芯片流片具有先進(jìn)的Arm CPU核， 使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計實(shí)現(xiàn), 電子設(shè)計自動化 (EDA) Place and Route工具和流程 ,性能高達(dá)3GHz以上

　　2. ARM同時正在開發(fā)高性能存儲器、邏輯單元和CPU POP套件，以進(jìn)一步擴(kuò)展下一代ARM CPU在英特爾10nm技術(shù)上的性能水平

　　ARM Cortex A75: Intel 10nm 測試芯片

　　? 在12周內(nèi)從RTL 至首次 Tape Out

　　? 標(biāo)準(zhǔn)英特爾10nm工藝

　　? 最新的軟件測試結(jié)果 > 3.3GHz

　　? 250uW/MHz

　　英特爾 10 納米 Arm 測試芯片

　　英特爾10納米制程：

　　通過超微縮技術(shù)實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高的邏輯晶體管密度

　　英特爾10納米工藝采用第三代 FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)技術(shù)，相比其他所謂的“10納米”,英特爾10納米預(yù)計將會領(lǐng)先整整一代。英特爾10 納米工藝使用的超微縮技術(shù) (hyper scaling)，充分運(yùn)用了多圖案成形設(shè)計 (multi-patterning schemes)，并助力英特爾延續(xù)摩爾定律的經(jīng)濟(jì)效益，從而推出體積更小、成本更低的晶體管。英特爾10納米制程將用于制造英特爾全系列產(chǎn)品，以滿足客戶端、服務(wù)器以及其它各類市場的需求。

　　英特爾10納米制程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達(dá)到每平方毫米1.008億個晶體管，是之前英特爾14納米制程的2.7倍，大約是業(yè)界其他“10納米”制程的2倍。

　　相比之前的14納米制程，英特爾10納米制程提升高達(dá)25%的性能和降低45%的功耗。相比業(yè)界其他所謂的“10 納米”，英特爾10納米制程也有顯著的領(lǐng)先性能。全新增強(qiáng)版的10 納米制程——10++，則可將性能再提升15%或?qū)⒐脑俳档?0%。

　　英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)通過兩個設(shè)計平臺——10GP(通用平臺)和 10HPM(高性能移動平臺)，向客戶提供英特爾10納米制程。這兩個平臺包括已驗(yàn)證的廣泛硅IP組合、ARM 庫和 POP 套件，以及全面整合的一站式晶圓代工服務(wù)和支持。

　　英特爾22FFL(FinFET 低功耗)平臺

　　卓越集成能力

　　一流的 CPU 性能，主頻超過 2 GHz

　　超低功耗，漏電率降低 100 倍

　　22 納米+ 制程，每平方毫米 1,780 萬個晶體管

　　全面的 RF 設(shè)計支持

　　快速上市速度

　　行業(yè)最易使用的 FinFET 制程

　　成熟生產(chǎn)平臺，具備業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的 22/14 納米特性

　　經(jīng)過芯片驗(yàn)證的移動/物聯(lián)網(wǎng) IP 組合

　　Arm 庫和 POP 套件

　　英特爾架構(gòu)處理器 IP 套件

　　交鑰匙代工服務(wù)與支持

　　Cost-effective的設(shè)計

　　與業(yè)界28納米的平面(planar)工藝相比在成本上極具競爭力

　　單模式互聯(lián)和寬泛的 DFM 規(guī)則

　　無復(fù)雜的襯底偏壓要求

　　理想應(yīng)用

　　入門級/經(jīng)濟(jì)型智能手機(jī)

　　車載

　　可穿戴設(shè)備

　　英特爾22FFL(FinFET 低功耗)平臺

　　英特爾22納米FinFET低功耗(22FFL)技術(shù)：

　　面向主流市場的FinFET技術(shù)

　　英特爾自2011年發(fā)布代號為Ivy Bridge的處理器以來，一直在量產(chǎn)22納米FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)，而隨著2014年代號為Broadwell的處理器發(fā)布，第二代14納米FinFET也開始量產(chǎn)?；诙嗄?2納米/14納米的制造經(jīng)驗(yàn)，英特爾推出了稱為22FFL(FinFET低功耗)的全新工藝。該工藝提供結(jié)合高性能和超低功耗的晶體管，及簡化的互連與設(shè)計規(guī)則，能夠?yàn)榈凸募耙苿赢a(chǎn)品提供通用的FinFET設(shè)計平臺。

　　與先前的22GP(通用)技術(shù)相比，全新22FFL技術(shù)的漏電量最多可減少100倍。22FFL工藝還可達(dá)到與英特爾14納米晶體管相同的驅(qū)動電流，同時實(shí)現(xiàn)比業(yè)界28納米/22納米平面技術(shù)更高的面積微縮。

　　22FFL工藝包含一個完整的射頻(RF)套件，并結(jié)合多種先進(jìn)的模擬和射頻器件來支持高度集成的產(chǎn)品。借由廣泛采用單一圖案成形及簡化的設(shè)計法則，使22FFL成為價格合理、易于使用可面向多種產(chǎn)品的設(shè)計平臺，與業(yè)界的28納米的平面工藝(Planar)相比在成本上極具競爭力。

　　22FFL器件：

　　? 高性能晶體管

　　? 低1/F噪聲

　　? 超低漏電晶體管

　　? 深N阱隔離

　　? 模擬晶體管

　　? 精密電阻

　　? 高壓I/O晶體管

　　? MIM(金屬-絕緣體-金屬)電容

　　? 高壓功率晶體管

　　? 高阻抗襯底

　　迄今為止，英特爾已交付超過700萬片F(xiàn)inFET晶圓，22FFL工藝充分利用這些生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，達(dá)到了極高的良品率。

　　英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)(Intel Custom Foundry)通過平臺向客戶提供22FFL工藝，該平臺包含多種已驗(yàn)證的硅IP組合以及全面集成的一站式晶圓代工服務(wù)和支持。

　　激動人心的22FFL新技術(shù)適用于低功耗的物聯(lián)網(wǎng)和移動產(chǎn)品，它將性能、功耗、密度和易于設(shè)計的特性完美結(jié)合。

　　經(jīng)過展訊驗(yàn)證的

　　英特爾晶圓代工業(yè)務(wù) 14 納米平臺

　　展訊的 SC9861G-IA 和 SC9853I 移動 AP 均使用英特爾的 14 納米低功耗平臺制造而成。

　　這兩款移動 AP 分別于 2017 年 3 月和 8 月推出，同時還使用了英特爾 Airmont CPU 架構(gòu)

　　英特爾的 14 納米平臺適用于制造需要高性能和低漏電功耗的產(chǎn)品

　　第二代 FinFET 技術(shù)

　　行業(yè)領(lǐng)先的 PPA，每平方毫米 3,750 萬個晶體管

　　一流的 CPU 性能，主頻超過 2.5 GHz

　　快速上市速度

　　業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的 14 納米 HVM(大規(guī)模量產(chǎn))技術(shù)

　　經(jīng)過芯片驗(yàn)證的移動/網(wǎng)絡(luò) IP 組合

　　交鑰匙代工服務(wù)與支持

　　兩個平臺滿足您的全部產(chǎn)品需求

　　通用 (GP)

　　低功耗 (LP)

　　理想應(yīng)用

　　主流移動

　　數(shù)據(jù)中心

　　經(jīng)過展訊驗(yàn)證的

　　英特爾晶圓代工業(yè)務(wù) 14 納米平臺

　　英特爾 14 納米制程：

　　打造極速、節(jié)能產(chǎn)品

　　英特爾14納米制程采用第二代 FinFET 技術(shù)，提升性能并降低漏電功耗，從而支持一系列廣泛的產(chǎn)品。英特爾14納米制程正處于量產(chǎn)階段，用于制造包括高性能服務(wù)器、FPGA以及低功耗個人計算設(shè)備、移動設(shè)備、調(diào)制解調(diào)器和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備在內(nèi)的各類產(chǎn)品。

　　14 納米制程的晶體管鰭片更高、更薄且更加密集，從而提升了密度和性能。這些改進(jìn)的晶體管需要的鰭片數(shù)量更少，進(jìn)一步提升了制程的總體密度。晶體管柵極間距從90納米縮小至70納米，最小互連間距從80納米縮小至 52 納米，從而讓晶體管密度到達(dá)每平方毫米 3,750 萬個晶體管的標(biāo)準(zhǔn)。通過采用超微縮技術(shù)，英特爾14納米制程相比之前的 22 納米制程實(shí)現(xiàn)了非常顯著的微縮，其中邏輯單元面積微縮為此前的37%，晶片尺寸微縮超過此前的一半。

　　相比于業(yè)界其他的14/16/20納米制程，英特爾14納米制程的密度是它們的約1.3倍，這極大降低了單個晶體管成本(CPT)。業(yè)界的“10 納米”制程預(yù)計于2017年的某個時段出貨，而其晶體管密度僅與2014年便已開始出貨的英特爾14納米制程相當(dāng)。

　　14 納米制程超微縮的一個關(guān)鍵因素是引入自校準(zhǔn)雙圖案成形 (SADP)，相比業(yè)界的曝光-蝕刻-曝光-蝕刻 (LELE) 方法，它在晶體管密度和良品率上更有優(yōu)勢。

　　英特爾不斷改進(jìn)14納米制程的性能和功效。14 納米制程的持續(xù)優(yōu)化使其性能比最初的14 納米制程可以提升多達(dá) 26%，也可以在相同性能下降低50%以上的有效功耗。英特爾14+制程的性能比最初的14納米制程提升了12%，而英特爾14++制程在此基礎(chǔ)上又將性能提升了24%，超過業(yè)界最佳的其他14/16納米制程20%。

　　英特爾14納米制程還包含一整套可支持并增強(qiáng)各種產(chǎn)品設(shè)計的器件。這些器件包括高阻襯底、高 Q 電感器、高密度 DeCaps、深N阱(Deep Nwell)、精密電阻器、低漏電功耗及長 L 晶體管，以及射頻晶體管模板和建模。

　　英特爾14納米制程正在美國俄勒岡州、亞利桑那州和愛爾蘭的工廠進(jìn)行量產(chǎn)，迄今已出貨 4.734 億件。英特爾代工業(yè)務(wù)通過兩個設(shè)計平臺——14GP(通用)和 14LP(低功耗)，向客戶提供英特爾14納米制程。這兩個平臺包括廣泛的硅驗(yàn)證IP組合以及全面集成的交鑰匙代工服務(wù)和支持。