存儲器解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者東芝存儲器株式會社今日宣布開發(fā)出世界首款[1]采用堆疊式結(jié)構(gòu)的BiCS FLASH?三維(3D)閃存[2]。最新的BiCS FLASH?設(shè)備是首款采用4位元(四階存儲單元，QLC)技術(shù)的閃存設(shè)備，該技術(shù)使閃存設(shè)備的存儲容量較3位元(TLC)設(shè)備進(jìn)一步提高并推動了閃存技術(shù)創(chuàng)新。

　　多位元內(nèi)存通過管理每個(gè)獨(dú)立存儲單元中的電子數(shù)目來存儲數(shù)據(jù)。實(shí)現(xiàn)QLC技術(shù)帶來一系列技術(shù)挑戰(zhàn)，在相同電子數(shù)目下位元數(shù)目每增加一個(gè)，需要兩倍于TLC技術(shù)的精度。東芝存儲器株式會社利用其先進(jìn)的電路設(shè)計(jì)能力和行業(yè)領(lǐng)先的64層3D閃存工藝技術(shù)，創(chuàng)造出QLC 3D閃存。

　　該原型采用64層3D閃存工藝技術(shù)，具有世界最大的裸芯片容量[3](768千兆比特/96 GB)。原型已于6月初發(fā)往固態(tài)硬盤和固態(tài)硬盤控制器廠商處進(jìn)行評估和開發(fā)。

　　QLC 3D閃存還在單一封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了具有16顆粒堆疊式結(jié)構(gòu)的1.5TB存儲設(shè)備，這是業(yè)界最大存儲容量[4]。這一開創(chuàng)性產(chǎn)品樣品將于8月7-10日在美國加州圣克拉拉舉行的2017年閃存峰會上亮相。

　　東芝存儲器株式會社已經(jīng)實(shí)現(xiàn)64層256千兆比特(32 GB)設(shè)備的批量生產(chǎn)，隨著批量生產(chǎn)的擴(kuò)張，公司將繼續(xù)通過推動技術(shù)發(fā)展來展示公司的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)力。該新QLC產(chǎn)品專注于滿足市場對高密度、芯片尺寸更小的閃存解決方案日益增長的需求，主要面向企業(yè)級SSD、消費(fèi)級SSD和存儲卡等應(yīng)用。

　　注：

　　1. 數(shù)據(jù)來源：東芝存儲器株式會社，截至2017年6月28日。

　　2. 一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結(jié)構(gòu)，相比平面NAND閃存(存儲單元位于硅基板上)，其極大地提高了密度。

　　3. 數(shù)據(jù)來源：東芝存儲器株式會社，截至2017年6月28日。

　　4. 數(shù)據(jù)來源：東芝存儲器株式會社，截至2017年6月28日。

　　* 本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能均為其各自公司的商標(biāo)。