NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC （Single Level Cell）；多層單元MLC（Multi Level Cell）；多位單元MBC（Multi Bit Cell）。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。

采SLC架構(gòu)是在每個(gè)Cell中存儲(chǔ)1個(gè)bit的信息，以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫次數(shù)為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對(duì)比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。

1997年，MLC架構(gòu)的NAND閃存被英特爾率先研發(fā)出來(lái)，其原理是將2個(gè)或2個(gè)以上bit以上的信息寫入一個(gè)浮動(dòng)?xùn)牛缓罄貌煌娢坏碾姾?，透過(guò)內(nèi)存儲(chǔ)存格的電壓控制精準(zhǔn)讀寫。由于其成本低，容量大，自問(wèn)世以來(lái)得到了包括英特爾在內(nèi)的多家閃存大廠的支持，其中東芝公司更是看好MLC技術(shù)，并大力發(fā)展。但是MLC架構(gòu)也同樣有其缺點(diǎn)，首先是運(yùn)行情況不及SLC架構(gòu)來(lái)的穩(wěn)定；而且相對(duì)讀寫速率也較SLC慢；其次MLC的可寫入次數(shù)僅為1萬(wàn)次左右。因此，MLC架構(gòu)的NAND芯片一度被認(rèn)為是低質(zhì)低價(jià)的閃存芯片。但是由于其容量上的先天優(yōu)勢(shì)，MLC技術(shù)也在不斷改進(jìn)和發(fā)展。

SLC和MLC結(jié)構(gòu)和工作原理示意圖 本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/201706/353427.htm

兩個(gè)MCL Block的NAND FLASH

因?yàn)槠涞统杀炯叭萘扛叩年P(guān)系，該類型閃存已經(jīng)主宰了我們身邊的眾多存儲(chǔ)媒介。由于目前移動(dòng)設(shè)備的不斷增長(zhǎng)，大容量高速非易失性存儲(chǔ)設(shè)備成為市場(chǎng)需求的目標(biāo)。