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        首個DDR4-2666 RDIMM內(nèi)存問世:瞄準Intel下一代平臺

        作者: 時間:2016-11-15 來源:cnbeta 收藏

          一直致力于工業(yè)級存儲設(shè)備研發(fā)的InnoDisk今天正式宣布推出DDR4-2666服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品,主要適配即將于2017年發(fā)布的 Purley平臺。InnoDisk嵌入式DRAM業(yè)務(wù)副總裁Samson Chang表示,此次推出的DDR4-2666服務(wù)器內(nèi)存是世界上首個內(nèi)存產(chǎn)品,其擁有2666MT/s的默認速度,可以充分發(fā)揮 Purley平臺的性能。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/201611/340196.htm

          InnoDisk DDR4-2666 服務(wù)器內(nèi)存工作電壓為1.2V,符合JEDEC標準,目前擁有8GB、16GB、21GB三種容量版本,預計2017年第一季度將推出更大容量的型號。

          

        首個DDR4-2666 RDIMM內(nèi)存問世:瞄準Intel下一代平臺


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