廠商爭(zhēng)相投資，3D NAND Flash前景不妙?據(jù)傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產(chǎn)，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產(chǎn)能也將于明年下半全面開出，屆時(shí)3D NAND可能會(huì)從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過剩的狀況。

　　BusinessKorea 6日?qǐng)?bào)道，NAND需求爆發(fā)，據(jù)悉三星電子決定平澤廠完工時(shí)間提前三個(gè)月，改在明年三、四月開始生產(chǎn)第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城(Hwaseong)廠，屆時(shí)三星3D NAND產(chǎn)能將從當(dāng)前水準(zhǔn)提高兩倍、至32萬(wàn)片。

　　SK海力士也準(zhǔn)備生產(chǎn)3D NAND，仁川廠M14線無(wú)塵室正在裝設(shè)儀器，估計(jì)第二代36層3D NAND可在今年第二季出貨、第三季量產(chǎn)。第四季將加碼投資第三代48層3D NAND，估計(jì)未來3D NAND將占SK海力士產(chǎn)出的一半。

　　與此同時(shí)，大陸廠商武漢新芯也打算砸下巨資打造新廠，該公司與美商Spansion共同研發(fā)3D NAND。日廠東芝則與Western Digital(西部數(shù)據(jù))攜手，準(zhǔn)備量產(chǎn)3D NAND。

　　韓媒etnews 4日?qǐng)?bào)道，業(yè)界消息稱，NAND Flash價(jià)格一路向上，三星決定平澤廠將提前三個(gè)月投產(chǎn)。目前平澤廠的建筑工事進(jìn)入尾聲，正修筑工廠外墻，預(yù)料12月完工，緊接著要開始設(shè)備投資，購(gòu)買無(wú)塵室設(shè)施和晶圓生產(chǎn)儀器等。

　　多名設(shè)備業(yè)人士表示，三星若想在2017年初裝設(shè)備儀器，現(xiàn)在就得下單，據(jù)稱三星不久后就會(huì)開始發(fā)出訂單。外界預(yù)料，平澤廠將名為18代線，明年第二季季初或季中開始營(yíng)運(yùn)，負(fù)責(zé)生產(chǎn)第四代64層3D NAND Flash。第一階段每月產(chǎn)量為4~5萬(wàn)片12寸晶圓，約為18代線總產(chǎn)量的1/4(總產(chǎn)量為20萬(wàn)片)。估計(jì)第一階段投資金額為27.2~31.7億美元(181.4億~211.4億人民幣)。

　　韓國(guó)媒體朝鮮日?qǐng)?bào)日文版報(bào)道，三星8月11日宣布，第4代V-NAND Flash(3D NAND)產(chǎn)品將在2016年Q4(10-12月)開賣，該款產(chǎn)品將采64層堆疊。三星指出，借由采用64層堆疊技術(shù)，每片晶圓的儲(chǔ)存容量可較現(xiàn)行技術(shù)提高30%、能有效改善成本競(jìng)爭(zhēng)力。

　　三星為全球第一家量產(chǎn)3D NAND的廠商，于2013年研發(fā)出堆疊24層的3D NAND之后，就逐步將技術(shù)升級(jí)至32層、48層，此次則進(jìn)一步提升至64層。

　　東芝7月27日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND制程技術(shù)，并自當(dāng)日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計(jì)將透過甫于7月完工的四日市工廠“新第2廠房”進(jìn)行生產(chǎn)。