Hot Chip 2016大會(huì)上，內(nèi)存技術(shù)突然成了一大熱點(diǎn)，DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代標(biāo)準(zhǔn)相繼浮出水面，明后兩年陸續(xù)就能見(jiàn)到。

　　這份發(fā)展規(guī)劃主要來(lái)自存儲(chǔ)大廠三星，美光也提出了一些想法，而新規(guī)范自然主要以提高速度、擴(kuò)大容量、降低功耗為主。

　　DDR5內(nèi)存的設(shè)想是單條容量最小8GB、最大32GB，帶寬最高6.4Gbps，兩倍于DDR4，而電壓和當(dāng)前的DDR4一樣維持在1.1V，這在歷史上倒是第一次。

　　美光計(jì)劃2019年量產(chǎn)DDR5，三星則計(jì)劃2018年就行動(dòng)。

　　GDDR6顯存數(shù)據(jù)率將沖擊14Gbps，高于現(xiàn)在的GDDR5X 12Gbps、GDDR5 10Gbps，電壓則是1.35V。

　　LPDDR5內(nèi)存之前其實(shí)還準(zhǔn)備了個(gè)過(guò)渡性質(zhì)的LPDDR4X，三星、海力士都有相關(guān)規(guī)劃，速度從LPDDR4 3733Mbps提高到4266Mbps，VDDQ 0.6V、VDD 1.1V的電壓則維持不變。

　　聯(lián)發(fā)科Helio P20處理器已經(jīng)第一個(gè)支持LPDDR4X，但這么一款中端芯片搭配最強(qiáng)內(nèi)存有些不倫不類(lèi)，而且事實(shí)上這顆處理器還沒(méi)發(fā)布呢。

　　LPDDR5的目標(biāo)是做到6400Mbps的超高帶寬，VDDQ/VDD電壓要比現(xiàn)在的0.6/1.1V更低，功耗有望降低最多20%，對(duì)未來(lái)的高端手機(jī)是一大福音。

　　HBM2剛剛開(kāi)始量產(chǎn)，HBM3自然還得很久，預(yù)計(jì)2019-2020年才會(huì)推出。三星和海力士都已經(jīng)投入研發(fā)，計(jì)劃將單顆容量做到最大64GB，帶寬則可達(dá)2TB/s。