SK海力士(SK Hynix)繼2015年之后，再度決定進(jìn)行史上最大規(guī)模投資。市場(chǎng)不景氣與大陸業(yè)者強(qiáng)勢(shì)跨足產(chǎn)業(yè)等種種不利因素下，SK海力士認(rèn)為只有持續(xù)投資，強(qiáng)化技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，才能克服眼前危機(jī)。

　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK集團(tuán)(SK Group)會(huì)長(zhǎng)崔泰源在2011年購(gòu)并虧損中的海力士，將設(shè)備投資比例大幅提高到10%以上。相對(duì)于其他業(yè)者因?yàn)槭袥r差而不敢投資，SK海力士卻因果斷的投資，讓過(guò)去3年業(yè)績(jī)連創(chuàng)新高。

 根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAM eXchange資料，DDR4 4Gb模組2015年6月的價(jià)格為3.7美元，之后開(kāi)始下滑，12月時(shí)已跌到2美元。平均銷(xiāo)售單價(jià)下跌，當(dāng)然很快營(yíng)收、營(yíng)業(yè)利益也會(huì)跟著下跌。連市場(chǎng)觀(guān)察家也看衰半導(dǎo)體企業(yè)的2016年業(yè)績(jī)。

　　雪上加霜的是，大陸政府砸大錢(qián)扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，2015年大陸國(guó)營(yíng)企業(yè)清華紫光集團(tuán)還以威騰(WD)最大股東的身分，透過(guò)威騰間接購(gòu)并全球第三大NAND Flash業(yè)者新帝(SanDisk)。

　　SK海力士認(rèn)為若想克服眼前危機(jī)繼續(xù)成長(zhǎng)，就必須強(qiáng)化技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。就算2016年業(yè)績(jī)展望不如前一年，也要維持研發(fā)投資的規(guī)模，繼續(xù)制程微細(xì)化與下一代存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。

　　SK海力士計(jì)劃投資進(jìn)行2z DRAM(20納米級(jí))與1x DRAM(10納米級(jí))的開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)。透過(guò)推出講究技術(shù)的新產(chǎn)品來(lái)強(qiáng)化成本競(jìng)爭(zhēng)力，也借此提高投資效率。為了改善DRAM價(jià)格下滑導(dǎo)致的收益衰退，也計(jì)劃增加高階產(chǎn)品DDR4與LPDDR4 DRAM的生產(chǎn)與銷(xiāo)售。

　　NAND Flash方面則計(jì)劃開(kāi)發(fā)比16納米更微細(xì)的2D架構(gòu)14納米產(chǎn)品，以確保競(jìng)爭(zhēng)力。2015年36層3D NAND Flash初期量產(chǎn)成功，2016年打算正式量產(chǎn)48層產(chǎn)品維持技術(shù)領(lǐng)先。同時(shí)致力研發(fā)屬于新成長(zhǎng)動(dòng)能的下一代存儲(chǔ)器與系統(tǒng)半導(dǎo)體，期望與后進(jìn)業(yè)者拉開(kāi)技術(shù)差距。

　　為了因應(yīng)中長(zhǎng)期增加的需求，位于韓國(guó)利川與清州的建廠(chǎng)投資計(jì)劃也照規(guī)劃進(jìn)行。利川M14廠(chǎng)為了二期工程，投資1兆韓元(約8.3億美元)建設(shè)無(wú)塵室與電力、環(huán)境等基礎(chǔ)設(shè)施。又為清州新廠(chǎng)購(gòu)地，近年內(nèi)還會(huì)著手整理利川新廠(chǎng)基地。

　　SK海力士引用首爾大學(xué)經(jīng)濟(jì)研究所研究結(jié)果表示，透過(guò)M14廠(chǎng)創(chuàng)造的營(yíng)收，到2021年為止可望為韓國(guó)引發(fā)55兆韓元產(chǎn)值，創(chuàng)造21萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。