全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應(yīng)晶體管技術(shù)，該n溝道增強(qiáng)型功率器件還對高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠?qū)崿F(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，并大幅降低了系統(tǒng)成本。C3M0065090J突破了電力設(shè)備技術(shù)，是開關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應(yīng)用等的電源管理解決方案。

　　世強(qiáng)代理的該900V SiC具有更寬的終端系統(tǒng)功率范圍，能滿足不斷演變的新型應(yīng)用市場中的設(shè)計挑戰(zhàn)，更高直流母線電壓也同樣適用。在25°C條件下，C3M0065090J擁有目前市面上最低的65mΩ的額定導(dǎo)通電阻;當(dāng)溫度高至150°C時，也可保證導(dǎo)通電阻只有90mΩ，這能有效降低功率損耗，并縮減熱管理系統(tǒng)的尺寸。從而進(jìn)一步減少電源設(shè)計者們的創(chuàng)新限制，有助于實現(xiàn)尺寸更小、速度更快、溫度更低、效率更高的電源方案。

　　圖： CREE業(yè)界首款900V MOSEFET C3M0065090J

　　C3M0065090J不僅提高了系統(tǒng)效率，還增加了功率密度以及開關(guān)頻率，能夠提供優(yōu)化的+ 15 v / 5 v門極驅(qū)動和+/- 36 v連續(xù)漏電流。配備131數(shù)控C3M0065090D通孔模型和134數(shù)控C3M0065090J表面裝配模型的快速二極管，所以反向恢復(fù)時間短。此外，該產(chǎn)品采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO247-3/TO220-3封裝，還能提供開爾文連接的低阻抗 D2Pak-7L表面貼封裝，從而減小了柵極振蕩。歡迎撥打世強(qiáng)服務(wù)熱線電話 40088-73266咨詢訂購。

　　C3M0065090J的特點與優(yōu)勢：

　　• 　采用SiC MOSFET C3MTM場效應(yīng)晶體管技術(shù)，n溝道增強(qiáng)型

　　• 　高阻斷電壓，較低的導(dǎo)通電阻65mΩ(25°C)，90mΩ(150°C)

　　• 　較低的高速開關(guān)功放

　　• 　新的低阻抗包和驅(qū)動源

　　• 　具用快速內(nèi)在二極管，反向恢復(fù)電流較低(Qrr)

　　• 　工作溫度：-55 °C 至 +150 °C

　　• 　封裝：標(biāo)準(zhǔn)TO247-3/TO220-3，及低阻抗 D2Pak-7L表面貼封裝

　　• 　無鹵,通過無鉛認(rèn)證

　　C3M0065090J的應(yīng)用：

　　• 　可再生能源

　　• 　電動汽車電池充電器

　　• 　高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器

　　• 　開關(guān)模式電源

　　• 太陽能逆變器