本裝置中Neuron3 1 50芯片的通信端口采用單端工作方式配置，與FTT-10收發(fā)器的配置如圖2所示，其中FTT-10的CLK端與3150的CLK2相連，以保證二者的時序一致。

1．3．3 存儲器分配及電路設計
由于Neuron3150芯片內部的存儲器不能滿足存儲要求，因此在 Lon控制模塊設計中，采用外接32k閃存和24kSRAM作為外存，其中16kB(尋址范圍0X0000-0X3FFF)閃存用來保存 Neuron3150芯片固件，另16kB閃存(0X4000-0X7FFF)用來存儲各種配置以及應用信息。24k SRAM主要用于存儲應用數據以及網絡數據包的緩存。存儲器分配圖如圖3所示：

在電路設計中，利用3150芯片的A15端口來實現對32k閃存的片選 (低電平有效)，利用3150芯片的A14、A13進行與非運算所得結果，與A15再進行與非運算來驅動SRAM的片選(低電平有效)。具體電路設計如圖4所示。

1．4 采集電路設計
依據裝置要實現的功能，采集電路規(guī)劃為數字輸入12路、數字輸出12路、模擬輸入 4路：Neuron3150芯片I／07至I／0010管腳用來接收室內溫濕度值，配置成4路模擬電路；I／O-O至I／O-6管腳和利用地址總線擴展出的3路I／O口共同形成24路數字信號。
1．4．1 模擬輸入電路設計
模擬輸入電路為檢測居室環(huán)境(溫度、濕度)設計，該電路如圖5所示。

圖中的Max186芯片是用于進行A／D轉換的，由美國美信公司生產，Max186是12位的數據采集集成芯片，它把8通道多路開關、大帶寬跟蹤／保持電路和串行接口組合在一起，4線串行接口可直接接到SPI、QSPIMicrowire器件而無需外加邏輯，使用內部時鐘或外部串行接口時鐘以完成逐次逼近模／數轉換。通過射隨器進入芯片的模擬輸入信號為0-5 V電壓信號，它可以轉換為數字信號并以Neurowire總線方式串行進入神經元芯片中，然后存放在存儲器SRAM中，這些數據可傳到家用電腦中用來顯示和記錄。