電路特點分析

仍然以I=12，M=17的交織器和解交織器為例。

本設(shè)計采用單倍實現(xiàn)所用的存儲單元總數(shù)Nram=[(I-1)×M/2+1]×I=1134，相應(yīng)要用到地址總線的位數(shù)為Nad=ceil[log2(Nram)]=11。也就是說，要用到2k的雙端口RAM，讀寫地址線各11根。

而采用一般的雙倍實現(xiàn)占用的存儲單元總數(shù)Nram=[(I-1)×M+1]×I=2256，相應(yīng)要用到地址總線位數(shù)Nad=ceil[log2(Nram)]=12。如果采用雙倍實現(xiàn)，要用到4k的雙端口RAM，讀寫地址線各12根。

理論上最簡存儲單元的占用量為Nram=[(I-1)×M×I/2 =1122，地址總線位數(shù)為Nad=ceil[log2(Nram)]=11，所以單倍實現(xiàn)的優(yōu)點是顯而易見的，其占用存儲單元數(shù)為雙倍實現(xiàn)的一半，讀寫地址線各少1根，接近于最簡占用量。只要交織深度I不是很深，該設(shè)計方法使用的邏輯單元門數(shù)并不多，而且可以節(jié)約大量的存儲單元，效果是顯而易見的。