MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問(wèn)題探究
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圖2是以IRFP064為例，根據(jù)式(6)～(9)計(jì)算出的漏極電流不均勻度A與導(dǎo)通電阻均勻度B間的關(guān)系曲線(以n為參變量)，可得出如下結(jié)論：(1) 并聯(lián)器件數(shù)n相同的每一組曲線，漏極電流不均勻度A隨自主補(bǔ)償系數(shù)M的增大而下降；(2)并聯(lián)器件數(shù)n相同的每一組曲線，兩條曲線間的差距隨n的增大而增大；(3)并聯(lián)器件數(shù)n相同的每組曲線，隨n的減小而降低；(4)并聯(lián)器件的靜態(tài)電流不匹配度A有最大值，即A=B。所以，降低并聯(lián)器件的電流不匹配度的最有效方法就是提高并聯(lián)器件導(dǎo)通電阻的匹配程度。本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/181198.htm
3 閾值電壓UT對(duì)動(dòng)態(tài)電流分配的影響
動(dòng)態(tài)電流分配不均是指由于器件本身參數(shù)失配而使各并聯(lián)支路在開(kāi)關(guān)過(guò)程中電流大小不一致的現(xiàn)象。原因很多，這里以圖3為例分析閾值電壓UT引起的電流分配不勻現(xiàn)象。
3．1 VT1、VT2均未導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓，0→t1時(shí)段，iD1=iD2=0
柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)由負(fù)半周進(jìn)人正半周后，信號(hào)源Ug向兩管的柵極電容Cgs充電，即：
3．2 僅VT1管導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓，t1~t2時(shí)段
在t1～t2時(shí)間段內(nèi)，iD1>0，iD2=0。對(duì)其整理，得到二階微分方程組：
式中，變量系數(shù)的數(shù)量級(jí)為A≈10－8,B≈10－5,C≈－10－13。下面分析中認(rèn)為B>>A>>C。考慮t1～t2時(shí)間段變量x的初始條件，t=0時(shí)(即上一階段t=t1時(shí))；x=UT1；并選擇x'=0，并考慮微分方程中變量系數(shù)的數(shù)量級(jí)關(guān)系，得此微分方程組的解為：
3．3 兩管均導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓，時(shí)段t2~∞
在t2～∞時(shí)間段內(nèi)，iD1>0，iD2>0根據(jù)圖3，可整理得出二階微分方程組為：
式中，C=2RgCgdgm(L0+LS)，同上述略有差異，但這種差異對(duì)結(jié)果影響甚微，予以忽略。
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評(píng)論