當次級端的輸出二極管上的電流減少為零時，此時輔助繞組上的電壓會因為變壓器的電感與MOSFET 上輸出電容 COSS 產生諧振，直到 MOSFET 再次導通。

圖 2, 控制器的輸出波形

其中 LP 為變壓器初級端的感量；ton 為MOSFET的導通時間；NAUX/NS 為變壓器輔助繞組與次級端繞組的圈數(shù)比；VO 為輸出電壓；VF 為次級端輸出二極管的正向導通電壓。

這個采樣的方式同樣可以取得變壓器的放電時間 tdis，如圖 2 所示，次級端輸出二極管上的電流平均值會等于輸出電流 IO，因此輸出電流 IO 可以藉由 ipk 與 tdis 表示為式 (3)

其中 tS 為 PSR 控制器的開關周期；NP/NS 為初級端與次級端的圈數(shù)比；RSENSE 為初級端電流取樣電阻。

實際實現(xiàn)一個5W的充電器，輸出規(guī)格的定義為5V/1A。控制器采用FSEZ1216，這個PSR控制器集成了 600V 的高壓 MOSFET，因此可以減少驅動MOSFET 的線路與 PCB 走線的干擾。而為了要降低待機損耗，PSR控制器內部的省電模式將會在輕載時線性地降低 PWM 的頻率，達到目前電源規(guī)范省電的需求；跳頻機制提升 EMI 的效能，同時充電器的輸出電壓會因配備較長的輸出纜線而導致輸出電壓降低，也可利用內部補償機制提升輸出電壓的調節(jié)能力。

此技術利用采樣變壓器初級端的輔助繞組上的電壓達到輸出端的恒定電流與恒定電壓的調節(jié)，這樣的優(yōu)點可以節(jié)省傳統(tǒng)采用次級端反饋線路、光藕合器與次級端偵測電流電阻等組件。