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        滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

        作者: 時(shí)間:2010-10-23 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/180369.htm

        理想的
        半導(dǎo)體器件在改善功率密度方面受到許多限制。需要被控制器件內(nèi)部的功率消耗以減小它對電路板面積和器件之間散熱的影響。


        圖3顯示了一個(gè)DaulCool和標(biāo)準(zhǔn)QFN的截面對比,以及在印制板(PCB)上和散熱器之間的外部輪廓。這兩種封裝的外部輪廓是一樣大的,工程師可以不用更改電路板而直接使用任意一種器件。在這兩種封裝中,管芯(圖中的紅色部分)被安裝在引腳襯底上,銅連接片用于連接管芯頂部到右側(cè)的源極引腳。這種結(jié)構(gòu)降低了從管芯到頂部的熱阻(RθJT),可以從標(biāo)準(zhǔn)QFN封裝中大約10℃/W的熱阻降到1.2℃/W。這也意味著到頂部的熱阻大約等于到底部的熱阻。另外,器件頂部的散熱器必須是平底的,以使散熱器與器件封裝接觸良好,保證散熱和電氣連接。因此,在器件封裝和散熱器之間也必須放置有良好的絕緣導(dǎo)熱材料。

        圖3 DaulCool封裝(上)和標(biāo)準(zhǔn)QFN封裝(下)的截面對比圖

        圖4 封裝的散熱能力比標(biāo)準(zhǔn)封裝的高出接近80%

        當(dāng)DaulCool封裝的器件安有散熱器時(shí),熱量就會(huì)通過自然或強(qiáng)迫對流冷卻形式從電路板傳輸?shù)阶杂煽諝庵小8鶕?jù)系統(tǒng)級仿真(如圖4所示)的結(jié)果,這種散熱方式可以實(shí)現(xiàn)比標(biāo)準(zhǔn)QFN封裝多散去高達(dá)80%的熱功率。


        更高的散熱能力可以為負(fù)載提供額外50%的電流。所以,當(dāng)維持相同的結(jié)點(diǎn)溫度時(shí),可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外,散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時(shí),還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流,并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響,也提高了系統(tǒng)的可靠性。


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