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        大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計(jì)算

        作者: 時(shí)間:2011-03-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/179365.htm

        熱阻的估算可能會(huì)比較困難。單一器件在一個(gè)簡(jiǎn)單的印刷板上的θJA的測(cè)算相對(duì)容易一些,而要在一個(gè)系統(tǒng)內(nèi)去預(yù)測(cè)實(shí)際電源的熱性能是很困難的,因?yàn)椋抢镉性S多熱源在爭(zhēng)奪有限的散熱通道。如果有多個(gè)被并聯(lián)使用,其整體熱阻的方法,和兩個(gè)以上并聯(lián)電阻的等效電阻一樣。

        我們可以從θJA規(guī)格開始。對(duì)于單一管芯、8引腳封裝的來講,θJA通常接近于62℃/W。其他類型的封裝,有些帶有散熱片或暴露的導(dǎo)熱片,其熱阻一般會(huì)在40℃/W至50℃/W(見表1所列)??梢杂孟旅娴墓?a class="contentlabel" href="http://www.antipu.com.cn/news/listbylabel/label/計(jì)算">計(jì)算MOSFET的管芯相對(duì)于環(huán)境的溫升Tj(rise),即

        Tj(rise)=PL×θJA(5)

        接下來,計(jì)算導(dǎo)致管芯達(dá)到預(yù)定Tj(hot)時(shí)的環(huán)境溫度Tambient, 即

        表1 MOSFET封裝的典型熱阻

        封裝 θJA/(℃/W)

        最小引線面積

        θJA/(℃/W)

        敷銅4.82g/cm2

        θJA/(℃/W)
        SOT23(熱增強(qiáng)型) 270 200 75
        SOT89 160 70 35
        SOT223 110 45 15
        8引腳μMAX/Micro8(熱增強(qiáng)型) 160 70 35
        8引腳TSSOP 200 100 45
        8引腳SO(熱增強(qiáng)型) 125 62.5 25
        D-PAK 110 50 3
        D2-PAK 70 40 2
        說明:由于封裝的機(jī)械特性、管芯尺寸和安裝及綁定方法等原因,所以同樣封裝類型的不用器件,以及不同制造商出品的相似封裝的熱阻也各不相同,為此,應(yīng)仔細(xì)考慮MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的熱信息。

         

        Tambient=Tj(hot)Tj(rise)(6)

        如果計(jì)算出的θJA低于機(jī)殼的最大額定環(huán)境溫度,必須采用下列一條或多條措施:

        ——升高預(yù)定的Tj(hot),但不要超出數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定的最大值;

        ——選擇更合適的MOSFET以降低其;

        ——通過增加氣流或MOSFET周圍的銅膜降低θJA。

        再重算Tambient(采用速算表可以簡(jiǎn)化計(jì)算過程,經(jīng)過多次反復(fù)方可選出一個(gè)可接受的設(shè)計(jì))。而表1為MOSFET封裝的典型熱阻。

        如果計(jì)算出的Tambient高出機(jī)殼的最大額定環(huán)境溫度很多,可以采取下列一條或全部措施:

        ——降低預(yù)定的Tj(hot)

        ——減小專用于MOSFET散熱的銅膜面積;

        ——采用更廉價(jià)的MOSFET。

        這些步驟是可選的,因?yàn)樵诖饲闆r下MOSFET不會(huì)因過熱而損壞。不過,通過這些步驟只要保證Tambient高出機(jī)殼最高溫度一定裕量,便可以降低線路板面積和成本。

        上述計(jì)算過程中最大的誤差源來自于θ JA。應(yīng)該仔細(xì)閱讀數(shù)據(jù)手冊(cè)中有關(guān)θJA規(guī)格的所有注釋。一般規(guī)范都假定器件安裝在4.82g/cm2的銅膜上。銅膜耗散了大部分的功率,不同數(shù)量的銅膜θ JA差別很大。例如,帶有4.82g/cm2銅膜的D-Pak封裝的θ JA會(huì)達(dá)到50℃/W。但是如果只將銅膜鋪設(shè)在引腳的下面,θJA將高出兩倍(見表1)。如果將多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用,θ JA主要取決于它們所安裝的銅膜面積。兩個(gè)器件的等效θ JA可以是單個(gè)器件的一半,但必須同時(shí)加倍銅膜面積。也就是說,增加一個(gè)并聯(lián)的MOSFET而不增加銅膜的話,可以使RDS(on)減半但不會(huì)改變θ JA很多。最后,θ JA規(guī)范通常都假定沒有任何其它器件向銅膜的散熱區(qū)傳遞熱量。但在大情況下,功率通路上的每個(gè)元器件,甚至是印刷板線條都會(huì)產(chǎn)生熱量。為了避免MOSFET過熱,須仔細(xì)估算實(shí)際情況下的θ JA,并采取下列措施:

        ——仔細(xì)研究選定MOSFET現(xiàn)有的熱性能方面的信息;

        ——考察是否有足夠的空間,以便設(shè)置更多的銅膜、散熱器和其它器件;

        ——確定是否有可能增加氣流;

        ——觀察一下在假定的散熱路徑上,是否有其它顯著散熱的器件;

        ——估計(jì)一下來自周圍元件或空間的過剩熱量或冷量。

        3 結(jié)語

        熱管理是大設(shè)計(jì)中難度較大的領(lǐng)域之一。這種難度迫使我們有必要采用上述迭代流程。盡管該過程能夠引領(lǐng)熱性能設(shè)計(jì)者靠近最佳設(shè)計(jì),但是還必須通過實(shí)驗(yàn)來最終確定設(shè)計(jì)流程是否足夠精確。應(yīng)計(jì)算MOSFET的熱性能,為它們提供足夠的耗散途徑,然后在實(shí)驗(yàn)室中檢驗(yàn)這些計(jì)算,這樣有助于獲得一個(gè)耐用而安全的熱設(shè)計(jì)。

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