圖一所示電路為一簡(jiǎn)單的將Vsupply 與負(fù)載接通的開(kāi)關(guān)控制電路，Vsupply 可以是正電
壓、負(fù)電壓或交流電壓。輸入電壓的幅值只受到MOSFET 的Vds 的最大額定值的限制,圖中所示
MOSFET Q1、Q2 的VDS極限值為50V，電路中采用的是MAX845芯片。

變壓器的初級(jí)繞組和驅(qū)動(dòng)IC 的工作電壓是5V，它們?cè)谧儔浩鞯拇渭?jí)繞組產(chǎn)生一個(gè)隔離的
交變電壓，由D1 和D2 整流產(chǎn)生一個(gè)供N 溝道MOSFET 使用的10 伏的VGS電壓。這樣產(chǎn)生的VGS
是一個(gè)恒定的隔離電壓，不會(huì)受到VDS對(duì)地電壓的變化的影響。由于負(fù)的VGS電壓加在單個(gè)MOSFET
上仍會(huì)有電流流過(guò)關(guān)斷狀態(tài)下的MOSFET（由于內(nèi)部寄生二極管處于正偏狀態(tài)所引起）。故采用
兩個(gè)MOSFET 源極與源極對(duì)接，這樣它們的內(nèi)部寄生二極管反向?qū)樱谌魏吻闆r下都不會(huì)有
電流流過(guò)。
關(guān)閉IC 后，MOSFET 的VGS為0V，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)（SD=5V、開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，SD=0V、開(kāi)關(guān)閉合）。開(kāi)關(guān)
的速度取決于R1 的大?。篟1 值小可以降低開(kāi)關(guān)延時(shí)，但相應(yīng)功耗較大（R1=1K 時(shí)，負(fù)載電流
為24 毫安）。若開(kāi)關(guān)速度不是很關(guān)鍵，可以選取較大的R1 值將功耗電流降低到5 毫安。圖2
是該電路在40V，1.2A 負(fù)載情況下的工作性能。
采用其它的開(kāi)關(guān)技術(shù)有一定的不足之處，例如繼電器，它的開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)會(huì)抖動(dòng)，功耗也較高。
功率MOSFET 開(kāi)關(guān)的VGS最大額定值（標(biāo)準(zhǔn)器件約為20 伏，邏輯電平器件約為15 伏）使得它很
難承受超過(guò)15 伏的電壓。當(dāng)然也可以對(duì)柵極電壓進(jìn)行電平變換，但這樣會(huì)浪費(fèi)功率，另外較
高電壓所需的較大的電阻將使開(kāi)關(guān)速度降低。