一種高電源抑制的基準源的設計
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2．3 PSR的仿真
圖6為工藝角tt，vcc=8.5V，t=27℃時的PSR的仿真，此基準對電源干擾的抑制能力較強，4．75V輸出電壓在工作頻率60 k左右時的PSR達到了-75．1 dB，能有效抑制由半橋產(chǎn)生的震蕩；而且對來自數(shù)字部分的高頻震蕩也有較強的抑制能力。
表1為輸出電壓bg在不同工藝角下的PSR的仿真結(jié)果，本電路在不同工藝角下都能在高電源干擾的芯片中正常工作。
3 結(jié)論
本文通過結(jié)合LDO與Brokaw基準核心，設計出了高PSR的帶隙基準，此帶隙基準輸出的1．186 V電壓的低頻PSR為-145 dB，最高PSR為-36 dB，溫漂可以達到7．5 ppm，適用于電子鎮(zhèn)流器芯片。本設計還優(yōu)化了啟動部分，使新的帶隙基準可以在短時間內(nèi)順利啟動。此電路根據(jù)需要還可以修改基準核心中的Rc3、Rc4，采用多段電阻分壓方式，以輸出多種參考電壓，方便靈活定制芯片。
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