一種高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計
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2 仿真與分析
本次設(shè)計的仿真基于ASMC的1 μm的高壓BCD工藝。
2．1 啟動仿真
圖4是工藝角為tt，t=27℃時的啟動仿真，此基準(zhǔn)需要3 μs就可建立正常狀態(tài)，這是由于基準(zhǔn)核心中的Cc1選取為比較小的2 pF的結(jié)果，這樣做的另一個結(jié)果就是中頻PSR有所降低，實際電路可根據(jù)需要選取Cc1的大小，如果需要中頻PSR較大，但對啟動時間要求較低時，可以選取大Cc1(如Cc1選取10pF，則最高PSR將降為-28dB，但啟動時間升至10μs)。LDO、ref、bg的啟動過程比較平穩(wěn)，沒有過沖現(xiàn)象。本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/178795.htm
MBC控制作用的簡述：在1μs時流過100μA的啟動電流，當(dāng)LDO、ref、bg建立最低工作電壓后，啟動電路開始關(guān)斷過程，電流急劇減小，并最終在2μs時接近0A。整個電路正常運行時消耗的電流是266μA。
2．2 溫漂仿真
圖5為不同工藝角下的溫漂仿真。仿真結(jié)果表明，此電路可以達到ref-45 ppm、bg-7．5 ppm的低溫漂。實際電路存在器件的不匹配和誤差等，雖然達不到理論上的溫漂，但通過仔細布版、修調(diào)帶隙核心電路中Rc1、Rc2，可以達到較低的溫漂。
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