先談?wù)凜V操作模式，現(xiàn)在大部分芯片都是直接取樣輔助線圈上電壓，由于漏感的原因，在MOS關(guān)斷后，也就是次級(jí)二極管導(dǎo)通瞬間，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)尖峰，影響電壓采樣，為了避開個(gè)這個(gè)尖峰，大部分廠家都是采用延時(shí)采機(jī)，也就是在MOS管關(guān)斷一段時(shí)間后再來(lái)采樣線圈電壓。從而避開漏感尖峰。PI是在高壓開關(guān)關(guān)斷2.5 μs采樣。這種采樣方式其實(shí)在以前很多芯片上的過(guò)壓保護(hù)上也都有應(yīng)用，比如OB2203和UCC28600，NCP1377上都有這樣的應(yīng)用，所以可以得到較高精度的過(guò)壓保護(hù)。

　　還有些廠家是在下取樣電阻上并一個(gè)小容量的電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。同時(shí)建義大家吸收電路使用恢復(fù)時(shí)間約只有2us的IN4007再串一個(gè)百歐左右的電阻作吸收。可以減小漏感產(chǎn)生的振鈴，從而減小取樣誤差。得到較高采樣精度。次級(jí)圈數(shù)固定，輔助繞組固定，取樣精度高。比較器內(nèi)部精度也高，自然可以得到較高的輸出電壓精度。

　　先寫個(gè)變壓器的基本公式。Np*Ipk=Ns*Ipks(變壓器次級(jí)只有一個(gè)繞組Ns),Np,Ipk,Ns,Ipks分別是初級(jí)圈數(shù)，初級(jí)峰值電流，次級(jí)圈數(shù)，次級(jí)峰值電流 .

　　當(dāng)工作在DCM模式時(shí)，輸出電流是次級(jí)電流(如圖的三角形)在一個(gè)工作周期的平均值，所以Io=(Td/T)*Ipsk/2, 其中 T為工作周期。

　　Np*Ipk=Ns*Ipks