由圖3可知，當MOSFET處于飽和區(qū)并且IDID0時，隨溫度的變化是正溫度系數(shù)，而ID>ID0時，ID隨溫度的變化是負溫度系數(shù)。因為MOSFET是由很多小的單元組成，當IDID0且處于飽和區(qū)時，如果部分單元溫度偏高，那么這些單元會趨向流過更多的電流，繼而溫度會更高，因此這是一個正反饋過程，MOSFET最終會因為局部過熱而損壞。由于功率MOSFET在開通和關斷的過程中是工作在飽和區(qū)，因此應提高開關速度，縮短這樣的熱不穩(wěn)定過程。

3 應用電路實例分析
在實際的驅動電路設計過程中采用控制芯片MC33035驅動，PWM在下橋臂。當MOSFET管IRF250關斷時，柵極通過電阻R6和MC33035的下驅
動對地直接放電。由于MOSFET管在關斷時電流迅速減小，回在PCB和電流檢測電阻的寄生電感上產(chǎn)生感應電勢，感應電勢的大小，方向如紅線所示。這樣會使MOSFET管的源極和MC33035驅動的參考電壓發(fā)生相對變化，這種變化降低了MC33035相對于IRF250管源極的的驅動電壓，從而降低了驅動能力，使關斷速度變慢。

在實際電路測得、以及MC33035的輸出波形圖中發(fā)現(xiàn)，當VGS低于某一數(shù)值之后，由于反電勢的影響，驅動線路已經(jīng)幾乎不能通過電阻R6給柵極提供放電電流，導致MOSFET的關斷變慢。同時分別在在不同的開關頻率下，檢測MOSFET管的發(fā)熱情況?？梢詮臄?shù)據(jù)中總結出，在慢速開關情況下MOSFET的局部溫度要高于快速開關情況下的溫度，過慢的開關速度會導致MOSFET因局部溫度過高而提前失效。

4 結束語
通過具體電路的實驗，可以總結出過慢的開關頻率會增加MOSFET的開關損耗，同時由于柵極RC網(wǎng)絡延遲和MOSFET本身的熱不穩(wěn)定性產(chǎn)生局部過熱，使MOSFET提前失效。過快的開關速度產(chǎn)生較大的導通的浪涌電流以及開關躁聲及電壓尖峰。設計驅動線路和PCB布線時，減小主回路PCB和電流檢測電阻的寄生電感對開關波形的影響，布線時應使大電流環(huán)路盡量小并且使用較寬的走線。