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        高功率LED在室內(nèi)照明發(fā)展所需的技術(shù)支持

        作者: 時(shí)間:2011-06-29 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

         1 引言

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/168955.htm

          市場(chǎng)商機(jī)為業(yè)界帶來(lái)無(wú)窮想象空間,應(yīng)用已經(jīng)從過(guò)去室外跳向應(yīng)用。根據(jù)Strategies Unlimited統(tǒng)計(jì),未來(lái)五年內(nèi)LED照明的將有指數(shù)型增長(zhǎng)趨勢(shì)。按照估計(jì),至2011年,其產(chǎn)值將高達(dá)數(shù)百億美元。尤其是2009年歐盟率先實(shí)施禁用白熾燈計(jì)劃,以及節(jié)能議題備受關(guān)注,造就了LED照明巨大的市場(chǎng)機(jī)遇和樂(lè)觀的前景。下文從散熱技術(shù)、光學(xué)設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)等燈具技術(shù)的需求,分析高LED 在室內(nèi)照明領(lǐng)域中的

          高LED照明的LED照明的發(fā)展取決于兩大元素:一是芯片本身;二是燈具技術(shù),包含散熱、光學(xué)、驅(qū)動(dòng)。

          2 芯片支持

          目前,LED 芯片技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵在于基底材料和外延生長(zhǎng)技術(shù)?;撞牧嫌蓚鹘y(tǒng)的藍(lán)寶石材料、硅和碳化硅,發(fā)展到氧化鋅、氮化鎵等新材料。無(wú)論是面向重點(diǎn)照明和整體照明的高功率芯片,還是用于裝飾照明和一些簡(jiǎn)單的輔助照明的低功率芯片,技術(shù)升級(jí)的關(guān)鍵都關(guān)乎如何開(kāi)發(fā)出更高效、更穩(wěn)定的芯片。在短短數(shù)年內(nèi),借助于包括芯片結(jié)構(gòu)、表面粗化處理和多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在內(nèi)的一系列技術(shù)改進(jìn),LED 在光效方面實(shí)現(xiàn)了巨大突破。圖1是LED 芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)展示意圖。隨著生產(chǎn)技術(shù)的逐漸成熟,LED 量子效率將進(jìn)一步提高,LED 芯片的光效也將隨之增強(qiáng)。

          薄膜芯片技術(shù)是超亮 LED 芯片生產(chǎn)中的核心技術(shù),能夠減少各側(cè)面的光輸出損耗,并能借助底部的反射面使 97% 以上的光線從正面輸出(見(jiàn)圖 2)。這不僅顯著提高LED 的光效,還為透鏡設(shè)計(jì)創(chuàng)造了優(yōu)越的便利條件。


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