無刷直流電動機功率驅(qū)動電路設(shè)計
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(4)上橋臂高壓側(cè)自舉電容的容量取決于被驅(qū)動的功率MOSFET管開關(guān)頻率、導(dǎo)通和關(guān)斷占空比以及柵極充電電流的需要。為了防止自舉電容放電后造成其兩端電壓低于欠壓保護動作的門檻電壓值，使得IR2130關(guān)斷，電容取值應(yīng)較大，此功率驅(qū)動電路選擇10μF的電解電容。
(5)功率驅(qū)動芯片IR2130內(nèi)部的6個驅(qū)動MOS-FET管(RFG40N10)，其輸出阻抗較低，導(dǎo)通輸出電阻rDS(ON)=0．04 Ω，直接驅(qū)動功率MOSFET器件可能造成器件MOSFET漏一源極之間的振蕩。
這樣會引起射頻干擾，也有可能造成器件MOS-FET因承受過高的dv／dt而被擊穿。因此在功率管的柵極與IR2130的輸出之間串聯(lián)一個阻值為30 Ω的無感電阻。柵源極間的電阻主要提供放電回路，使自舉電容的電壓快速放掉。本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/163619.htm
4 結(jié) 語
在此介紹的無刷直流電動機功率驅(qū)動電路是采用IR公司的專用驅(qū)動芯片IR2130組成的。由于1R2130驅(qū)動芯片內(nèi)置了死區(qū)電路，具有過流保護和欠壓保護等功能，大大降低了電路設(shè)計的復(fù)雜度，簡化了整個驅(qū)動電路的設(shè)計，提高了系統(tǒng)的可靠性。
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