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        降壓型PWM控制器APl510原理及應用

        作者: 時間:2010-09-03 來源:網(wǎng)絡 收藏

         引言

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/162863.htm

          隨著信息技術(shù)與集成電路的高速發(fā)展,電子產(chǎn)品逐漸向智能化、小型化、低功耗方面發(fā)展,同時電源必須做到小體積、高效率、低功耗,以適應電子產(chǎn)品的高速發(fā)展。因此,高度集成的在電子產(chǎn)品中得到了廣泛。

          易亨(AnachiD)電子公司推出的降壓型可以廣泛于電子產(chǎn)品的電源中。由于芯片內(nèi)包含基準電壓源、振蕩電路、誤差放大器、內(nèi)部PMOS開關(guān)管等電路,所以只須外加電感、電容、二極管等少量元器件,便可組成小體積、高效率的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓電源。

          l APl5lO的工作

          框圖如圖l所示。

          


          1.1 引腳功能及描述

          腳1 (FB)反饋端,誤差放大器的反相輸入,通過分壓電阻連接電源輸出端。

          腳2 (EN)使能端,工作或待機控制,高電平:正常運行,低電平:待機運行。

          腳3(OCSET)輸出電流設(shè)定端,通過外部電阻設(shè)定最大輸出電流。

          腳4 (VCC IC)電源輸入正端。

          腳5、6 (Output)開關(guān)輸出端,P溝MOS場效應管漏極,連接外部續(xù)流二極管和電感。

          腳7、8 (VSS IC)電源輸入負端。

          1.2 工作

          由圖1可知,APl510由基準電壓源、振蕩電路、誤差放大器、、過熱關(guān)斷控制電路以及P溝MOS場效應管等部件組成。

          基準電壓源為芯片內(nèi)部電路提供穩(wěn)定的供電電壓,并為誤差放大器的同相輸入端提供0.8V的電壓基準。它具有軟啟動功能,可以防止電源啟動時的沖擊,它還具有欠壓鎖定功能,當輸入電壓低于3.3V時APl510停止工作;當輸入電壓高于3.5V時,它自動恢復工作。

          振蕩電路產(chǎn)生300 kHz的振蕩波形,當發(fā)生過流保護或短路保護時,工作頻率將從300 kHz減小到30kHz。

          輸出電壓的取樣信號進入誤差放大器的反相輸入端,經(jīng)比較后進入PWM控制器,輸出占空比變化的方波去驅(qū)動內(nèi)部的P溝M0S管:APl510調(diào)節(jié)脈沖的占空比可以從O%~100%,這使得APl510可以在很寬的輸入電壓范圍內(nèi)正常工作。

          過熱關(guān)斷電路使芯片結(jié)溫達到125℃時關(guān)斷,保護芯片不會因為過熱而損壞。其恢復溫度為100℃,25℃的溫度回差確保芯片過熱保護時不會振蕩。

          APl510內(nèi)部具有P溝MOS管的限流功能,其計算方法為

          

          式中:ILOAD為內(nèi)部P溝MOS管設(shè)定的工作電流,APl51O中MOS管的最大工作電流為3 A;

          RDS(ON)為APl510中MOS管的導通電阻,其值為100mΩ;

          IOCSET為APl5lO中內(nèi)部恒流源的工作電流,其值為100μA;

          ROCSET為腳OCSER對地的外接電阻。

          APl510的輸入電壓范圍為3.6~23V,由于內(nèi)置了P溝MOS管,所以只需外加電感、電容、二極管等,便可組成降壓型開關(guān)穩(wěn)壓電源。由于采用固定頻率工作方式,因而內(nèi)部補償電路簡單,輸出紋波低,瞬態(tài)響應好,電源的效率也很高。

          2 電路

          圖2所示的電路是一個由APl510組成的典型降壓型DC/DC變換器,其輸入電壓為12 V,輸出電壓為5V。

          

          圖2電路中RA、RB為輸出電壓設(shè)定電阻,輸出電壓VOUT與RA、RB阻值的關(guān)系如式(1)所列。

          

          ROCSET為MOS管最大電流設(shè)定電阻,M0S管最大電流,IMOS與ROCET的關(guān)系如式(2)所列。

          

          式中:RMOS為MOS管導通電阻,VIN=12V時,RMOS典型值100mΩ。

          對于電壓調(diào)整率要求較高的場合,圖2所示的電路就可能達不到要求了,而圖3所示的電路不僅有電壓調(diào)整率補償功能,而且具有待機功能。它能直接受到CPU或者其它數(shù)字電路的電平控制,即可進行“工作/待機”模式切換,不需要另加接口電路。

          

          圖3中成為補償電阻,輸入電壓越高反饋越強,它起到電壓補償作用;Q1、Q2用于“開機/待機”控制,同時起到待機時切斷補償?shù)淖饔谩嶋H應用過程中可以根據(jù)輸入電壓范圍不同決定R2的大小,特別是輸入電壓較低時(如6~12V)效果顯著,輸入電壓較高(如12—20V)則可省略。

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