近五年之內(nèi)，一些新型的非易失性存儲器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現(xiàn)，但達(dá)到出色市場量產(chǎn)業(yè)績的只有 FRAM。那么現(xiàn)如今FRAM在中國的應(yīng)用進(jìn)展如何?在哪些更多的應(yīng)用領(lǐng)域正在取代傳統(tǒng)的EEPROM、SRAM和閃存和閃存呢?

　　在日前于上海、北京、深圳三地巡回舉辦的2013富士通半導(dǎo)體MCU/FRAM鐵電存儲器技術(shù)研討會上，來自日本的華裔存儲器專家、富士通半導(dǎo)體系統(tǒng)存儲器事業(yè)部市場部產(chǎn)品高級經(jīng)理馮逸新在演講開場白中即提到：“我16年前留學(xué)日本并一直工作生活在那里，這十幾年我深刻地感受到了中國經(jīng)濟(jì)的巨大變化，比如中國已超過日本成為第二大經(jīng)濟(jì)實(shí)體，不久將趕上美國，而中國也已成為日本的第一大經(jīng)濟(jì)伙伴，中國也已成為富士通集團(tuán)全球最大的市場，而富士通FRAM鐵電存儲器的最大市場也是在中國!”　　

?　　有數(shù)據(jù)顯示，從1999截至2013年6月，富士通的FRAM鐵電存儲器產(chǎn)品累計(jì)交貨已達(dá)23億片，而具有非易失性、低功耗 、高速燒寫 、高讀寫耐久性(一萬億次以上)、隨機(jī)存取等正是FRAM脫穎而出的競爭優(yōu)勢。

　　與傳統(tǒng)的非易失性存儲器如EEPROM相比，富士通FRAM的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在高速燒寫(40,000 倍)、高耐久性(1,000,000 倍 )和低功耗(1/1,000 )等方面。高速燒寫可確保實(shí)時(shí)存儲，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決實(shí)時(shí)存儲數(shù)據(jù)和幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決了突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題;高耐久性的特點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);低功耗主要指寫入時(shí)不需要高電壓。 這些優(yōu)勢使得FRAM越來越多地被需要高可靠性的應(yīng)用領(lǐng)域所采用，比如計(jì)量儀表(三相電表以及水表、氣表等)、電力自動化、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車后裝設(shè)備、POS機(jī)/金融ATM機(jī)等等。

　　馮逸新在演講中表示：“FRAM從性能和實(shí)用性、量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)等幾個(gè)方面都是在新型非易性失存儲器領(lǐng)域占絕對優(yōu)勢地位的。當(dāng)您在FRAM、MRAM、ReRAM、nvSRAM 、PRAM之間猶豫的時(shí)候，我非常自信地推薦大家采用FRAM?！?/p>