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        聯(lián)電加入IBM技術(shù)聯(lián)盟 攜手奔向10nm工藝

        作者: 時間:2013-06-17 來源:驅(qū)動之家 收藏

          在半導(dǎo)體行業(yè),(UMC)算不上往往與最先進的技術(shù)搭不上邊,不過這一次,臺灣代工廠準(zhǔn)備走在世界前列了。IBM、今天共同宣布,將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟,共同參與 CMOS工藝的開發(fā)。IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟是一個由IBM領(lǐng)導(dǎo)的半導(dǎo)體行業(yè)組織,成立已有數(shù)十年,成員包括GlobalFoundries(原AMD)、特許半導(dǎo)體(已被GF收購)、英飛凌、三星電子、意法半導(dǎo)體等赫赫有名的巨頭,共同致力于先進半導(dǎo)體制造工藝的開發(fā)。相比于Intel、臺積電、三星電子的單打獨斗,這些廠商都是共享資源、聯(lián)合開發(fā),尤其是可以仰仗藍色巨人IBM的雄厚技術(shù)實力。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/146392.htm

          事實上,這并不是聯(lián)電第一次和IBM進行此類合作。2012年的時候,雙方曾就14nm FinFET工藝的開發(fā)達成合作。

          在IBM的強力支持下,聯(lián)電會繼續(xù)改進14nm FinFET工藝的內(nèi)部開發(fā),為移動計算和通信產(chǎn)品提供低功耗的新工藝。

          合作上,IBM聯(lián)盟會針對聯(lián)電客戶的需求開發(fā)基準(zhǔn)工藝,聯(lián)電則會派出一隊工程師,前往紐約州奧爾巴尼,參與10nm的開發(fā)工作。

          聯(lián)電的14nm FinFET、10nm工藝部署會在其臺南研發(fā)中心展開。

          



        關(guān)鍵詞: 聯(lián)電 10nm

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