致力于能源、安全、可靠性與高性能領域，全球領先的半導體供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新產(chǎn)品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。該產(chǎn)品系列的所有器件均基于美高森美的先進Power MOS 8™ 技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件設計用于大功率的高性能開關模式產(chǎn)品，比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關電源。

　　美高森美的1200V解決方案可與其FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二極管組合封裝，為工程師提供高集成度解決方案，以便簡化產(chǎn)品開發(fā)工作。其它特性包括：

　　· 相比競爭產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關性能;

　　· 硬開關運行頻率大于80 KHz，實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換;

　　· 易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù))，提升大功率應用的可靠性;以及

　　· 額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，在需要短路能力的應用中實現(xiàn)可靠運作

　　此外，美高森美將于短期內(nèi)提供采用SOT-227封裝的APT85GR120JD60器件，包含了一個60A反并聯(lián)(anti-parallel)超快恢復二極管，采用美高森美的專有“DQ”系列低開關損耗、額定雪崩能量二極管技術制造。

　　封裝和供貨

　　美高森美公司的APT85GR120B2晶體管采用TO-247 MAX封裝，APT85GR120L采用TO-264封裝，APT85GR120J則采用SOT-227封裝。美高森美新型NPT IGBT器件已完全滿足性能要求并在產(chǎn)，客戶可通過當?shù)亟?jīng)銷商或美高森美銷售代表獲取樣品。