Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應(yīng)。通過四路SPI或SQI協(xié)議可實現(xiàn)高達80 Mbps的速度，為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時數(shù)據(jù)傳送及零寫入時間。

　　該系列中的另外兩個成員——23LCV512和23LCV1024——通過電池備份提供了業(yè)內(nèi)無限耐用性、非易失性RAM最具成本效益的選擇。事實上，憑借其40 Mbps的快速雙SPI(SDI)吞吐量以及低運行電流和休眠電流，這些串行NVSRAM器件可以高速工作，沒有并行NVSRAM高引腳數(shù)的缺點，其功耗可媲美FRAM，且價格更為低廉。這將有利于電表、黑匣子及其他數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，這些應(yīng)用需要無限耐用性或瞬時寫入以及非易失性存儲。

　　Microchip存儲器產(chǎn)品部副總裁Randy Drwinga表示：“在設(shè)計過程的某個階段，大多數(shù)嵌入式應(yīng)用需要更大的RAM。這些最新的1 Mb SRAM使設(shè)計人員能夠以比轉(zhuǎn)而采用更大存儲容量單片機或處理器低得多的成本彌補這一不足，而且還比并行SRAM的功耗和成本更低、引腳數(shù)更少。對于需要非易失性RAM的應(yīng)用，我們還首度增加了有電池備份的兩款器件，其成本明顯低于任何其他類型非易失性RAM。”

　　Drwinga補充道：“由于并行器件的成本、電路板空間占用和功耗都較高，EEPROM市場已經(jīng)完全轉(zhuǎn)向串行接口，而閃存市場正在迅速進行這一過渡。我們期望SRAM跟隨這一趨勢，Microchip的串行SRAM產(chǎn)品組合恰恰為嵌入式市場提供了令人信服的選擇。”

　　開發(fā)支持

　　Microchip正在開發(fā)一款PICtail子板，與其Explorer系列模塊化PIC單片機開發(fā)板及XLP 16位開發(fā)板配合使用。該子板預計在2013年2月推出。該子板將可演示Microchip最新串行SRAM系列易失性和非易失性器件的功能，幫助設(shè)計人員對這些器件進行快速評估。