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        DDR4今年年底抵達(dá)PC

        —— 無論在讀寫性能和刷新頻率上都明顯強(qiáng)于前任
        作者: 時(shí)間:2012-05-10 來源:cnbeta 收藏

          作為DDR3 DRAM的繼承者,本周一宣布明年將有望和大家見面,被應(yīng)用在普通PC上。據(jù)澳大利亞的Techworld報(bào)道,公司已經(jīng)為發(fā)售初始版本的內(nèi)存做好準(zhǔn)備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇,相比較即將來臨的已經(jīng)明顯在功耗和性能上落后,新的DDR4有望工作在更低的電壓下,相比較和1.5V DDR3只需要1.2V,并且總線速度將定位在2133MHz,無論在讀寫性能和刷新頻率上都明顯強(qiáng)于前任。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/132240.htm

          制定內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的電子設(shè)備工程聯(lián)合協(xié)會(huì)(JEDEC)下個(gè)月將推出DDR4的詳細(xì)規(guī)格說明,將在今年年底的時(shí)候開始評(píng)量生產(chǎn)。



        關(guān)鍵詞: Micron DDR4

        評(píng)論


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