碳化硅(SiC)功率器件的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出支持業(yè)界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面認(rèn)證的SPICE模型。新型SPICE模型能夠幫助電路設(shè)計(jì)人員輕松地進(jìn)行效益評(píng)估。與同級(jí)別的傳統(tǒng)硅功率開(kāi)關(guān)器件相比，科銳碳化硅Z-FET  MOSFET功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率。

　　科銳碳化硅MOSFET器件擁有與傳統(tǒng)硅器件顯著不同的特點(diǎn)，因此需要一個(gè)具有碳化硅特性的模型進(jìn)行精確的電路仿真?；诳其J技術(shù)且不受溫度影響的SPICE模型能夠與LTspice仿真程序兼容，使得電力電子設(shè)計(jì)工程師能夠在電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)中可靠地仿真評(píng)估科銳CMF10120D 和CMF20120D Z-FET器件先進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能。

　　科銳碳化硅MOSFET器件的開(kāi)關(guān)頻率較采用 IGBT 的解決方案可高出10倍。由于擁有更高的開(kāi)關(guān)頻率，便能夠使用較小磁性和電容性的元件，從而可以減小電力電子系統(tǒng)的整體尺寸，降低重量和成本。

　　科銳碳化硅MOSFET SPICE模型作為科銳全套產(chǎn)品之一，與輔助工具、技術(shù)文件以及可靠性信息一起，為電力電子工程師提供必要的設(shè)計(jì)資源，從而推動(dòng)碳化硅功率器件在新一代電源系統(tǒng)中的應(yīng)用。