2009年夏天泡泡網(wǎng)電源橫測(cè)中我們?cè)?jīng)仔細(xì)拆解過(guò)長(zhǎng)城巨龍1250這顆電源。他和今天拆解的旌宇1250瓦80PLUS都同出自長(zhǎng)城，而長(zhǎng)城巨龍1250電源的效率是80PLUS銅牌。這顆達(dá)到了金牌，怎么做到的呢?

旌宇1250內(nèi)部結(jié)構(gòu)

　　整體看過(guò)去，這套方案根源于長(zhǎng)城的1250巨龍，在一次側(cè)上布線一致，二次側(cè)上改動(dòng)較大，由于效率的提高，二次側(cè)散熱片也不需要那么厚實(shí)，從前的雙路磁放大處理的3.3V和5V被兩張降壓的DC-DC小PCB代替。

一級(jí)EMI濾波

　　在AC輸入口上設(shè)置了一個(gè)X電容，一對(duì)兒Y電容，泄電的電阻并在零線和火線上。不過(guò)露出的引腳都沒(méi)有做絕緣保護(hù)。

二級(jí)EMI濾波

　　因?yàn)楣β瘦^大，二級(jí)EMI濾波也必須下足夠多料才能保證通過(guò)EMI的測(cè)試，長(zhǎng)城是有全套EMI測(cè)試設(shè)備的廠商，這方面是很令人放心的。這里設(shè)置了兩個(gè)X電容，一個(gè)差模電感，兩個(gè)共模電感，一對(duì)兒Y電容。

整流橋

　　兩個(gè)整流橋前前后后貼了三張散熱片，把型號(hào)都擋住了，不過(guò)對(duì)1250瓦電源而言還在使用GBU封裝規(guī)格的整流橋體型有些小，要安全無(wú)恙的處理這部分的熱量，多貼些散熱片還是有必要的。

繼電器與浪涌吸收器

　　大功率電源主電容容量很大，通電時(shí)容易有很大電流，所以在接入其他元件前要設(shè)置一個(gè)枚大些的浪涌吸收器。圖中灰色的片片既是。他的后面是繼電器，開機(jī)后馬上短路掉浪涌吸收器，可以讓它盡快恢復(fù)狀態(tài)，為下一次浪涌的到來(lái)做好保護(hù)的準(zhǔn)備。

　　濾波整流之后電流進(jìn)入了PFC電路，在這里由PFC控制器控制PFC開關(guān)管的占空比，以此達(dá)到輸出380V左右的近似直流。

PFC電感

　　Boost電路中的電感就是我的手指頭指的地方，確實(shí)是少見(jiàn)的大電感，磁芯直徑超過(guò)43mm，為了進(jìn)一步提高感值，雙線并繞。

主電容

　　主電容是兩顆Teapo耐壓420V，耐溫105℃，容量390uF的產(chǎn)品并聯(lián)，等效780uF，耐壓和耐溫上都不錯(cuò)，不過(guò)這么頂級(jí)的電源里我還是希望看到日本化工的電容，中高端甚至中端的電源用臺(tái)系一線電容Teapo是常見(jiàn)的。

PFC開關(guān)管

　　三枚英飛凌的SPW35N60C3開關(guān)管并聯(lián)做PFC的開關(guān)管，耐壓650V，每顆可以支持通過(guò)34.6A的電流，并聯(lián)后功率余量非常大。導(dǎo)通電阻0.1歐，Coolmos C3系列的Mosfet口碑很不錯(cuò)，以至于現(xiàn)在已經(jīng)推出到C6系列。

主開關(guān)管

　　主開關(guān)管采用兩枚英飛凌SPW24N60C3 Mosfet串聯(lián)組成雙管正激的結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在80PLUS金牌榜上確有相當(dāng)一部分電源采用的是這個(gè)結(jié)構(gòu)達(dá)標(biāo)的，不過(guò)和數(shù)量更多的LLC結(jié)構(gòu)金牌比起來(lái)，雙管正激只能將將過(guò)線，這也是為什么在前一篇電測(cè)試中最高效率并沒(méi)有預(yù)期那樣好的原因。

PFC/PWM控制器

　　PFC和PWM的控制器是我們常見(jiàn)到的CM6802TAHX，使用虹冠電子的控制器，能通過(guò)80PLUS金牌，基本都和虹冠的某些“參考”設(shè)計(jì)有一些聯(lián)系。

　　電源設(shè)計(jì)中原理圖和理論有了以后最大的難度就是變壓器的設(shè)計(jì)，不過(guò)因?yàn)樗接邢?，又沒(méi)法深入拆解，所以變壓器部分在拆解中總是遺憾。

主變壓器

待機(jī)控制芯片

　　中間黃豆似的變壓器是PWM驅(qū)動(dòng)變壓器。最右邊的是待機(jī)變壓器，為5Vsb提供電流，并為控制芯片供電。由于待機(jī)芯片的開關(guān)管集成在芯片內(nèi)，還為芯片貼了散熱片。