美國應(yīng)用材料(AMAT)發(fā)布了可形成適用于22nm～14nm邏輯IC的低介電率(low-k)層間絕緣膜的兩款制造裝置。分別是成膜裝置“Producer Black Diamond 3”和紫外線(UV)固化裝置“Producer Nanocure 3”。

　　由發(fā)布可知，因微處理器耗電量的1/3為布線耗電量所占，因此市場上要求能夠在降低布線耗電量的同時，確保高機(jī)械強(qiáng)度的層間絕緣膜。對此，應(yīng)用材料開發(fā)出了第3代low-k膜，并投產(chǎn)了可制造這種low-k膜的裝置。第3代low-k膜是帶有納米級空孔的多孔質(zhì)(Porous)膜，相對介電常數(shù)(k)僅為2.2。并提高了空孔率的均勻性等，使機(jī)械強(qiáng)度比原來最大改善至2倍，可以耐受成膜后晶圓處理工序和封裝組裝工序的應(yīng)力。據(jù)介紹，為提高均勻性，應(yīng)用材料改進(jìn)了UV固化裝置的光學(xué)系統(tǒng)及反應(yīng)室(Chamber)的設(shè)計，固化均勻性與原來相比最大提高了50%。并且，通過組合使用高輸出功率的UV光源和低壓固化工藝，將固化處理的速度提高了40%。