美系存儲器大廠美光(Micron) 5月底才宣布，第3代低延遲RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已開始送樣，預(yù)計2011年下半可進(jìn)入量產(chǎn)，日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應(yīng)鏈，阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲 RLDRAM 3存儲器芯片，支持業(yè)界第1個400 Gb芯片組。

　　第3代低延遲RLDRAM 3主要是針對網(wǎng)絡(luò)通訊客戶所設(shè)計，因應(yīng)全球網(wǎng)絡(luò)通訊需求升溫，為讓網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)備有更多資料傳輸且加速傳輸?shù)男?，?代低延遲RLDRAM 3應(yīng)運(yùn)而生。

　　美光在2010年中時，就開始準(zhǔn)備第3代低延遲RLDRAM 3，5月底宣布正式開始送樣給客戶，并準(zhǔn)備在下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　美光日前也宣布，第3代低延遲RLDRAM 3正式獲得阿爾卡特朗訊采用，將用于下世代網(wǎng)通產(chǎn)品，阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲RLDRAM 3存儲器芯片，支持業(yè)界第1個400 Gb芯片組。

　　美光第3代低延遲RLDRAM 3存儲器芯片優(yōu)勢在于，網(wǎng)絡(luò)的傳輸快速且效率更高達(dá)76.8 Gb/s，最低延遲時間為10ns(nanosecond)，這些特色都有助于網(wǎng)通領(lǐng)域客戶的需求。

　　相較于第2代產(chǎn)品，美光第3代低延遲RLDRAM 3存儲器芯片在傳輸速度、存儲器容量、延遲性、耗電量等方面也都有改善，預(yù)計將于2011年下半開始，生產(chǎn)第3代低延遲RLDRAM 3。

　　美光預(yù)計，隨著第3代低延遲RLDRAM 3不斷的改善和提升效能，將更符合網(wǎng)通客戶對于傳輸數(shù)據(jù)量、優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、處理復(fù)雜基礎(chǔ)建設(shè)、降低延遲率上的需求。

　　美光日前才公布2011會計年度第3季(2011年3~5月)財報，營收和獲利都呈現(xiàn)衰退且低于市場預(yù)期，主要是筆記本電腦(NB)和桌上型計算機(jī)(DT) 需求都持續(xù)低迷所致，美光也致力轉(zhuǎn)移至其它應(yīng)用領(lǐng)域上，除了上述網(wǎng)通產(chǎn)品外，還包括服務(wù)器、平板計算機(jī)、智能型手機(jī)等應(yīng)用。

　　美光2011年第3季凈利為7,500萬美元，每股盈余0.07美元，相較2010年同期凈利為9.39億美元，EPS達(dá)0.92美元，凈利衰退超過90%。而美光上季營收21.4億美元，也較2010年同期減少了6.5%。