不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要SOI晶圓供應商表示，他們已經(jīng)為超薄襯底的SOI晶圓的規(guī)模化生產(chǎn)做好了準備。這些絕緣層上硅的厚度只有不到10納米，而且均勻性控制在艾米量級SOI晶圓對生產(chǎn)合格的全耗盡型晶體管是至關(guān)重要的。

　　SOI晶圓供應聯(lián)盟的一位官員稱，SOI晶圓最終的生產(chǎn)成本和體硅晶圓相比還要低6%，這和英特爾資深研究人員Mark Bohr的評論相左。Mark Bohr在5月份英特爾推出22納米3-D 三柵極晶體管技術(shù)時表示，超薄襯底的SOI晶圓非常昂貴而且很難找到貨源。Mark Bohr稱，如果英特爾采用超薄襯底的SOI晶圓來實現(xiàn)3-D 三柵極晶體管，其晶圓的成本將增加10%。

　　目前IBM、 STMicro、 GlobalFoundries、 Renesas和 Toshiba等芯片制造商是采用SOI晶圓制造下一代集成電路的主要推手。