中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基，這標志著中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動。

　　IGBT(新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動、智能電網(wǎng)、電力電子、新能源汽車等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，被業(yè)界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟的“核芯”。

　　占地160畝、由中國南車株洲所具體實施的中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地項目，總投資14億元人民幣，預計到2013年正式投產(chǎn)。項目建成后，將具備年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只IGBT模塊的能力，年產(chǎn)值超過20億元。

　　“目前，國內(nèi)缺少IGBT的產(chǎn)業(yè)化設計、生產(chǎn)、封裝、測試和可靠性試驗等一套完整的技術(shù)，國內(nèi)IGBT的主要供應商為外國廠商。大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地的建設，將改變核心技術(shù)受制于人，產(chǎn)品依賴進口的不利局面，提升中國軌道交通等重大裝備制造業(yè)的核心競爭力。”南車株洲所總工程師馮江華表示。

　　記者了解到，該基地除建設一條國際領(lǐng)先的8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線外，還將建設9條滿足不同行業(yè)用的IGBT模塊生產(chǎn)線。產(chǎn)品電壓等級從600伏到6500伏，滿足軌道交通以及電動汽車、風力發(fā)電、太陽能發(fā)電、智能電網(wǎng)、高壓變頻、工業(yè)傳動等多個行業(yè)需求，成為中國首個完全依靠自主能力建設、設計規(guī)模最大、技術(shù)實力最強、產(chǎn)品型譜最全的大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地。

　　作為國內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設計—芯片制造—模塊封裝—系統(tǒng)應用完整產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)，中國南車的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設計、制造與銷售都定位在面向全球布局。2010年，中國南車在海外成立功率半導體研發(fā)中心，負責承擔電力電子器件中長期戰(zhàn)略項目和重大項目的技術(shù)跟蹤、研究和開發(fā)，專門從事高壓IGBT芯片技術(shù)研究和新一代IGBT器件開發(fā)，支撐并引領(lǐng)公司大功率半導體器件產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展，縮短與國際最先進水平的差距。

　　中國南車透露，期望通過大功率半導體器件IGBT產(chǎn)業(yè)化項目的建設，實現(xiàn)芯片—模塊—系統(tǒng)應用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，填補中國在這一領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品空白，實現(xiàn)電力電子器件的技術(shù)跨越，占領(lǐng)技術(shù)制高點，實現(xiàn)中國南車“十二五”期間打造全球大功率半導體器件前三強目標。