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        芯片、頻率、內(nèi)容成為LTE短板

        作者: 時間:2011-03-23 來源:通信產(chǎn)業(yè)報 收藏

          在22日舉行的“2011年ICT深度觀察大型報告會”上,中國工程院院士鄔賀銓指出,發(fā)展還需客服三大短板,即、頻率和內(nèi)容。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/118006.htm

          盡管目前全球發(fā)展迅速,2010年全球商用網(wǎng)絡已達16個,但是目前支持LTE的手持終端產(chǎn)品依然有限。鄔賀銓認為,LTE終端需要的是28-32nm的,而目前最先進的技術進到45nm。因此,芯片技術的發(fā)展進程將在一定程度上制約LTE的商用。“摩爾定律已經(jīng)打破,可以預計未來十年內(nèi)將有新的芯片技術出現(xiàn)。”鄔賀銓表示。

          頻譜資源的緊張是制約LTE商用的另一個主要因素。目前美國已經(jīng)將500MHz的頻率資源分配給LTE,充分支持LTE的發(fā)展,而在國內(nèi),目前頻譜缺口還明顯存在。

          最后,鄔賀銓指出,目前LTE除了高速上網(wǎng)外,還沒能提供更多令用戶增值的業(yè)務,需要業(yè)內(nèi)繼續(xù)探索。而對于目前比較熱門的3D手機和增強現(xiàn)實業(yè)務,鄔賀銓比較看好增強現(xiàn)實。增強現(xiàn)實(AR),也被稱之為混合現(xiàn)實。它通過電腦技術,將虛擬的信息應用到真實世界,真實的環(huán)境和虛擬的物體實時地疊加到了同一個畫面或空間同時存在,將是未來手機應用的一個主要方向。



        關鍵詞: 芯片 LTE

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