由于傳導(dǎo)損耗則在總體系統(tǒng)損耗方面占據(jù)主導(dǎo)地位，新型MOS 8™ IGBT已經(jīng)針對低工作頻率(10 KHz — 30 KHz)而優(yōu)化。MOS 8 PT IGBT產(chǎn)品系列則在2.0 V (600 VBR(CES)) 和2.5 V (900 VBR(CES))下提供低傳導(dǎo)損耗特性。

　　美高森美除了提供具有多種功率模塊電氣和機(jī)械配置的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品之外，還提供IGBT、MOSFET和FRED，推動實(shí)現(xiàn)更高效的新型轉(zhuǎn)換器拓?fù)?，如三級逆變器、交錯(cuò)式PFC升壓轉(zhuǎn)換器及矩陣轉(zhuǎn)換器。

　　此外，美高森美不斷擴(kuò)大的DC/DC產(chǎn)品系列支持高達(dá)40V的輸入電壓，以及最高40A的廣泛輸出電流范圍。該系列器件包括內(nèi)置功率FET的開關(guān)調(diào)節(jié)器，以及采用外部功率FET并可在最高2 MHz頻率下運(yùn)作的控制器。

　　· FPGA用于功率監(jiān)控

　　SmartFusion智能混合信號FPGA在單一IC平臺上集成了模擬前端、嵌入式ARM Cortex-M3處理器和可編程邏輯資源。這一靈活性為設(shè)計(jì)人員提供了開發(fā)低功耗的可適配平臺的能力，能夠精確地監(jiān)控實(shí)時(shí)負(fù)載數(shù)據(jù)，同時(shí)滿足多種安全連接性協(xié)議的要求。