iodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發(fā)的產品，將一個功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負載點 (PoL) 轉換器的低側MOSFET位置，有助于提升效率，同時降低大批量計算、通信及工業(yè)應用中快速開關負載點轉換器的工作溫度。

　　在10V 的VGS電壓下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分別僅為10m? 及8.5m?。這些器件能把通常情況下與低側MOSFET相關的導通損耗降至最低。與此同時，DIOFET集成的肖特基二極管正向電壓比同類MOSFET或肖特基二極管低25%，比典型MOSFET的本征體二極管低48%，從而最大限度地降低了開關損耗，提高了效率。DIOFET 集成的肖特基二極管擁有低反向恢復電荷，以及更軟性的反向恢復特性，能進一步降低體二極管的開關損耗。

　　在基準測試中，DIOFET 的工作溫度與其它競爭解決方案相比低5%。MOSFET 結溫每降低10℃，DIOFET的永久可靠性便增加一倍。較低的DIOFET器件工作溫度大大提升了負載點轉換器的可靠性。