Spire集團的全資子公司Spire Semiconductor近日研制出了世界上效率最高的三結砷化鎵(GaAs)太陽能電池，在406倍太陽輻射聚光(406 suns)、大氣光學質(zhì)量1.5 (AM1.5)、25℃的測試條件下，這片0.97cm2電池的效率達到了42.3%(500倍聚光條件下效率為42.2%)。這項開發(fā)是美國國家可再生能源實驗室(NREL)的孵化器項目(NREL incubator subcontract)的一部分。該記錄也得到了NREL的證實。

　　在過去不到18個月的時間里，我們驗證了公司提出的全新概念，并把這個想法應用于電池的開發(fā)中?，F(xiàn)在，電池的設計已經(jīng)達到了可以生產(chǎn)的水平并創(chuàng)造了轉換效率的世界記錄，Spire Semiconductor的總經(jīng)理愛德華·蓋格農(nóng)(Edward D. Gagnon)表示，我們的技術團隊取得了卓越的成果。NREL在整個項目期間給我們提供了很大的幫助，在接到我們需要精確測量效率的申請后，NERL也很快給了我們回應。正是因為他們長期以來的幫助，我們才能驗證自己雙面太陽能電池的結構。目前，這款下一代更加高效的GaAs聚光太陽能(CPV)電池平臺已經(jīng)可以交付聚光太陽能系統(tǒng)開發(fā)商投入商業(yè)使用。

　　NREL的孵化器項目在一期已經(jīng)達到了39%的效率。