日前，韓國教育科學(xué)技術(shù)部表示，由韓國國內(nèi)研究組將第二代照明光源的InGaN 青色LED的發(fā)光效率最高增加了30%以上的源泉技術(shù)開發(fā)成功。

　　此次開發(fā)的技術(shù)與原有的LED相比，不會低減電器的特征，依靠鋅氧粉納米桿的光導(dǎo)波路現(xiàn)象，增加30%以上的發(fā)光效率。光州科技院的鄭建永教授表示：“此次研究結(jié)果從材料費或工程費側(cè)面比較簡單地將光導(dǎo)波管作用的鋅氧粉(ZnO)桿在低溫下，不會為LED電極構(gòu)造帶來影響的同時使之生長，是將發(fā)光效率跨越性提高的源泉技術(shù)，今后的研究等與納米技術(shù)融合的話，2015年的1,100億美金的利益效果與世界LED照明市場的先占將成為可能”。