總結(jié)：

　　對(duì)于需要高能效的應(yīng)用而言，采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)越來(lái)越受設(shè)計(jì)人員青睞。但要驅(qū)動(dòng)半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的高端MOSFET，設(shè)計(jì)人員面臨著是選擇變壓器或是硅芯片等不同驅(qū)動(dòng)方案的選擇。本文分析了不同驅(qū)動(dòng)方案的設(shè)計(jì)考慮因素、相關(guān)問(wèn)題及解決之道，并從多個(gè)角度對(duì)比了這兩種驅(qū)動(dòng)方案。盡管精心設(shè)計(jì)的話，這兩種驅(qū)動(dòng)方案都可以良好工作，但安森美半導(dǎo)體建議選擇諸如NCP5181這樣的硅芯片驅(qū)動(dòng)方案，在簡(jiǎn)化布線及設(shè)計(jì)的同時(shí)，也可避免變壓器驅(qū)動(dòng)方案的諸多問(wèn)題，幫助設(shè)計(jì)人員縮短設(shè)計(jì)周期，加快產(chǎn)品上市進(jìn)程。

　　參考資料：

　　1、半橋驅(qū)動(dòng)器：采用變壓器還是全硅驅(qū)動(dòng)，安森美半導(dǎo)體培訓(xùn)教程， www.onsemi.com/pub/Collateral/HB%20-%20Half-Bridge%20Drivers,%20a%20Transformer-Based%20Solution%20or%20an%20All-Silicon%20Drive%20-%20bilingual.rev0.pdf

　　2、NCP5181數(shù)據(jù)手冊(cè)，http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NCP5181-D.PDF