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        新日本無線開發(fā)完成高隔離度SPDT開關(guān)GaAs MMIC NJG1666MD7

        作者: 時間:2010-01-22 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          【開發(fā)背景】

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/105436.htm

          近年來,隨著裝載有FM和1seg等多數(shù)調(diào)諧器的設(shè)備的增加,市場需求用于分離接收信號的具有高隔離度的。為了適應(yīng)市場的要求,開發(fā)了最適合于信號分離的系列產(chǎn)品。要求更高隔離度的STB※和TV調(diào)諧器等設(shè)備把已有的多段連接使用或使用分立電路。是實(shí)現(xiàn)了使要求高隔離度特性的設(shè)備更加容易把信號分離而開發(fā)的SPDT開關(guān)。

          【產(chǎn)品特征】

          特征1 同時實(shí)現(xiàn)了高隔離度和低插入損耗

          完成了高隔離度的電路設(shè)計(jì)和減少了IC芯片、封裝內(nèi)的寄生電容,從而實(shí)現(xiàn)了高隔離度(70dB@250MHz, 60dB@2.2GHz)的特性,并且實(shí)現(xiàn)了很難同時共存的低插入損耗(0.50dB typ.@f=2200MHz)。

          特征2 采用了小型、超薄型封裝

          采用了小型、超薄型封裝EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.),實(shí)現(xiàn)了比以往產(chǎn)品(NJG1512HD3:2.0×1.8×0.8mm)28%面積的節(jié)減,使安裝基板節(jié)省了空間并可小型化。

          特征3 實(shí)現(xiàn)了高ESD(Electrostatic Discharge)耐壓

          內(nèi)置有保護(hù)器件,從而實(shí)現(xiàn)了在MM(Machine Model)機(jī)器放電模式上可200V以上和在HBM(Human Body Model)人體放電模式上可3000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)耐圧。



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