IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術，面向22nm及以下節(jié)點。

　　在IEDM會議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應用。除了場效應管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。

　　該ETSOI技術包含了幾項工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構。

　　該技術部分依賴于近期SOI晶圓供應商推出了硅膜厚度為6nm的SOI晶圓。