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        博客專欄

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        錦正茂高低溫探針臺T8-LY100的技術(shù)指標

        發(fā)布人:錦正茂科技 時間:2023-12-01 來源:工程師 發(fā)布文章
              高低溫探針臺T8-LY100能夠為半導(dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測試提供一個80K-420K高低溫測試環(huán)境,通過外接不同的電學(xué)測量儀器,可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數(shù)檢測,用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測試。
        技術(shù)指標:
        1.真空腔體約直徑260mm,
        2.帶有4英寸高透射觀察窗,材質(zhì)熔融石英
        3.樣品載臺直徑:(50mm)平整度<5微米
        4.樣品臺直徑:50mm
        5.移動范圍:±25mm
        6.溫度范圍:80K-420K,控溫精度:0.1-0.5K
        7.制冷方式:液氮
        8· X-Y-Z行程范圍:±25mm*±25mm*0-12.5mm線性運動,位移精度:1um
        9· 預(yù)留光纖接入口做光響應(yīng)測試
        10· 預(yù)留四個探針座的接口
        11· 探針長度38mm,直徑0.5mm,針尖直徑1um
        12· 兩套CCD相機(能看清1-2um)
        13·耦合一套四軸應(yīng)變裝置(定制)
        14·三同軸射頻接口:4只,外接三同軸連接線雙向公頭,長度 2米
        15. 配50升液氮罐輸液管
        16. 真空抽口KF50
        17.重量:75kg
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