10月12日消息，據(jù)朝日新聞報道，據(jù)多位日本政府關(guān)系人士透露，日本岸田政權(quán)計劃在10月內(nèi)敲定經(jīng)濟對策，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省將要求提供3.4萬億日元的預算，用于擴增為了對半導體生產(chǎn)、研發(fā)提供援助而設(shè)立的3個基金。

據(jù)了解，這3個基金為“后5G情報通訊系統(tǒng)基礎(chǔ)強化研究開發(fā)基金”、“特定半導體基金”和“確保穩(wěn)定供應支持基金”。

據(jù)報導，日本政府將在2023年度補充預算中、編列上述經(jīng)濟對策所需的資金，而一旦上述經(jīng)產(chǎn)省的預算要求獲得實現(xiàn)，2023年度日本補充預算中的半導體相關(guān)預算（3.4萬億日元）將達2022年度充補預算（1.3萬億日元）的2.6倍水準。。

關(guān)系人士指出，具體來說，經(jīng)產(chǎn)省認為有必要對臺積電計劃興建的日本二廠提供9,000億日元（約合人民幣440.8億元），對目標將次世代半導體國產(chǎn)化的日本晶圓代工廠Rapidus提供近6,000億日元，對索尼CMOS圖像感測器等傳統(tǒng)芯片提供7,000億日元的補助金。

目前，臺積電正在日本九州熊本縣菊陽町興建半導體工廠（簡稱“日本一廠”），預計2024年12月啟用生產(chǎn)，而除了上述工廠外，臺積電之前也表明考慮在日本興建第2座工廠（簡稱“日本二廠”）。

編輯：芯智訊-浪客劍