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        單面PCB布線阻抗的工程設(shè)計

        發(fā)布人:電巢 時間:2022-09-27 來源:工程師 發(fā)布文章
        面對這個問題大概率您會這么想:

        單面PCB,沒有地平面,采用雙側(cè)都有地線的共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu),就能實現(xiàn)布線阻抗控制:

        image.png


        想得美,理論豐滿,現(xiàn)實骨感。

        能想到用單面PCB實現(xiàn)布線阻抗控制的老板,一定在物料成本上考慮到了極致:

        與常規(guī)雙面PCB相比,單面PCB少了過孔金屬化、背面銅蝕刻、背面絲印、背面綠油等工序,減少了PCB制造成本;

        單面布線面積也一定會盡量減小,兩側(cè)鋪地增加了布線面積、增加了布通難度,所以只能單側(cè)鋪地(跟隨地線)。

        那么,單側(cè)鋪地的阻抗由鋪地間隙Gap大小決定?

        那又單純了,典型的沒經(jīng)過社會拷打。

        能想到單面布線阻抗控制的老板,一定會找個極低成本的三線PCB廠家加工,別指望線寬(等同于線間隙Gap)加工精度了。這種三線PCB廠家只保證基本的通斷。


        單側(cè)鋪地的Gap與阻抗關(guān)系

        為了讓大家死心,特意用HFSS建模,F(xiàn)R4介質(zhì)厚度20mil,銅厚1.4mil,線寬30mil??匆谎蹎蝹?cè)鋪地的Gap與阻抗關(guān)系:

        image.png


        看一眼單側(cè)鋪地的Gap與阻抗關(guān)系:

        image.png


        30mil線寬單面布線,鋪銅間隙Gap=4mil(主流PCB廠家普通制造工藝能加工的鋪銅間隙),阻抗也只能做到77歐,與50歐相差太遠。

        鋪銅間隙Gap=4mil大概是主流PCB廠家能保證通斷能力的鋪銅間隙,實際加工出來的Gap可能3~5mil范圍,有+/-1mil誤差是很正常的,會導(dǎo)致阻抗控制誤差超過20%。

        即使如此,別指望低成本的三流PCB廠家也能加工出4mil鋪銅間隙。

        上圖的紫色線,對應(yīng)鋪銅間隙Gap=16mil。


        解決方案

        根據(jù)公式Z0 = sqrt(L0/C0),增加單位長度的電容量,就能降低阻抗到50歐。

        單位長度,是指遠小于導(dǎo)波波長的長度。

        單位長度的電容量,用均勻排列的貼片電容實現(xiàn)。

        下圖模型:

        image.png


        仿真出來的阻抗如下:

        image.png


        紅線0.4pF,TDR曲線顯示的阻抗88歐;

        綠線2pF,TDR曲線是最接近于50歐的;

        說明這個長度2000mil的布線結(jié)構(gòu),需要用貼片電容增加總共5*2 = 10pF左右的附加電容,才能將阻抗壓到50歐左右。

        看看回波損耗:

        image.png


        對于數(shù)字電路,假設(shè)以回波損耗10dB為限:

        5*2pF拓樸結(jié)構(gòu),大致能傳輸1Gbps信號。

        5*0.4pF拓樸結(jié)構(gòu),大致能傳輸0.15Gbps信號。

        還是有收獲的。


        單位長度減半

        下圖模型:

        image.png


        看看上圖拓樸結(jié)構(gòu)的TDR瞬時阻抗,與上升沿Tr關(guān)系:

        image.png


        藍線阻抗大致控制在+/-10%,對應(yīng)上升時間Tr=200ps。

        綠線阻抗大致控制在+/-5%,對應(yīng)上升時間Tr=500ps。

        再看看回波損耗:

        image.png


        按照前面假設(shè)的標準,每隔180mil布局1pF電容,大致能傳輸2.2Gbps數(shù)據(jù)信號。

        本文的模型,用了HFSS的LumpRLC邊界條件,這與實際的貼片元件仍然有分布參數(shù)的差異,低頻率時誤差不大。


        總結(jié)

        共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)理論上能實現(xiàn)單面PCB布線的50歐阻抗控制,但實際工程上是很難實現(xiàn)的:因為要求鋪銅間隔Gap小于4mil。

        可以采用大的鋪銅間隔Gap=20mil,但每隔單位長度布局貼片電容的辦法實現(xiàn)50歐阻抗控制:

        每隔360mil布局2pF電容,大致能傳輸1Gbps數(shù)據(jù)信號。

        每隔180mil布局1pF電容,大致能傳輸2Gbps數(shù)據(jù)信號。

        依此類推。

        電容間隔總不能小于封裝本體吧?因此,這種拓樸結(jié)構(gòu)只能用于低頻低速信號。


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