來源：EDN電子技術(shù)設(shè)計(jì)
據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子計(jì)劃最早于本周開始試產(chǎn)采用GAA工藝的3nm產(chǎn)品，并稱第一個客戶是中國的半導(dǎo)體公司。業(yè)界評價(jià)稱，雖然不是一般意義上的“量產(chǎn)”，但因?yàn)樗侨蚴讉€采用GAA（gate-all-around）工藝的3nm生產(chǎn)，因此有意義。據(jù)悉，美國高通公司也收到了一份“回饋”，表示可以通過委托生產(chǎn)部分?jǐn)?shù)量。與利用電流通道作為三面的現(xiàn)有PIN PET結(jié)構(gòu)不同，GAA是利用四面的新一代晶體管結(jié)構(gòu)。與FinFET結(jié)構(gòu)相比，它具有更精確的電流控制能力和更高的功率效率，因此被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)超細(xì)半導(dǎo)體線寬的必要技術(shù)。據(jù)韓媒稱，三星3nm GAA 工藝的第一個客戶為 PanSemi（上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司），據(jù)了解，PanSemi已與三星代工的最大客戶高通公司達(dá)成協(xié)議，可以隨時委托生產(chǎn)采用3nm工藝的芯片。據(jù)分析，這是為了應(yīng)對臺灣晶片企業(yè)TSMC的3納米工程出現(xiàn)問題的情況，提前確保三星電子的3納米工程剩余部分的戰(zhàn)略。 此前，高通原計(jì)劃利用三星電子的3nm工程生產(chǎn)移動AP(應(yīng)用程序處理器)，但由于三星電子不滿足收率條件，所以將轉(zhuǎn)為委托給了TSMC。三星電子設(shè)定了今年上半年量產(chǎn)全球首個3納米GAA工藝的目標(biāo)。這一立場在第一季度業(yè)績公布后的電話會議中得到了再次確認(rèn)。通過此次試產(chǎn)，三星電子“上半年量產(chǎn)3nm”的承諾有望兌現(xiàn)。但據(jù)了解，此次生產(chǎn)接近于試產(chǎn)，是通過對產(chǎn)品進(jìn)行測試，而非一般意義上的量產(chǎn)。 業(yè)界認(rèn)為，三星電子實(shí)際上正在生產(chǎn)全球首個 GAA 3nm 工藝這一事實(shí)意義重大。三星電子曾指出，由于缺乏與 3nm 工藝相關(guān)的 IP（知識產(chǎn)權(quán)）以及良率低迷，3nm 工藝發(fā)展并不順利。近日，也有觀察稱，3nm工藝量產(chǎn)計(jì)劃推遲。三星電子對此反駁稱，“3納米量產(chǎn)計(jì)劃正在如期進(jìn)行，沒有任何挫折，今年上半年將開始量產(chǎn)?！?/span>一位業(yè)內(nèi)人士表示，“即使是在試產(chǎn)階段，通過提高 3nm GAA 工藝的技術(shù)和良率，對三星電子的安全保障也有很大幫助。目前還不清楚。” 據(jù)觀察，使用實(shí)際 3nm 工藝的量產(chǎn)時間可能需要再觀察一段時間。有人說，三星電子全面量產(chǎn)GAA 3nm的時間最早是今年年底，最遲是明年上半年。同時，臺積電正準(zhǔn)備量產(chǎn)基于 FinFlex 的 3nm 工藝（N3）。Finflex 是一種提供現(xiàn)有 FinFET 結(jié)構(gòu)的技術(shù)，可根據(jù)芯片設(shè)計(jì)人員所需的各種選項(xiàng)進(jìn)行定制。例如在3N工藝的基礎(chǔ)上，頻率最高的3-2 FIN、兼顧性能和效率的2-2 FIN、強(qiáng)調(diào)功率效率的1-2 FIN都可以混合使用在同一個裸片上。基本的N3工藝將從今年下半年開始量產(chǎn)，改進(jìn)后的工藝將在之后量產(chǎn)。END
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