日前，據(jù)天眼查消息顯示，華為技術有限公司公開“半導體器件及相關模塊、電路、制備方法”專利，公開號CN113054010A，申請日期為2021年2月。

專利摘要顯示，該器件包括：N型漂移層、P型基極層、N型****極層、柵極、場截止層和P型集電極層等。上述半導體器件，可以有效降低IGBT的集電極與****極之間的漏電流。

行業(yè)的發(fā)展往往依附于需求，近年來，IGBT市場需求大幅上漲，國內IGBT廠商隨之加速增長，部分下游應用廠商也向上游 IGBT 領域布局，華為也投身此浪潮。除IGBT，華為還持續(xù)布局第三代半導體。

自2019年起，業(yè)內就傳言華為開始著手研發(fā)IGBT。

2020年7月，華為旗下投資平臺哈勃，投資入股了一家IGBT廠商——東微半導體。據(jù)介紹，東微半導體主要產品為MOSFET、IGBT等高性能功率器件，主要滿足各種電能轉換系統(tǒng)的應用，包括快速充電器、充電樁、開關電源、直流電機驅動、光伏逆變器等。

今年3月，更是有知情人士透露，華為正在為公司的功率器件研發(fā)大肆招兵買馬，其中包括IGBT、MOSFET、SiC、GaN等主流的功率器件，隊伍已有數(shù)百人之多。

而第三代半導體，既是十四五重點，也是兩會關鍵詞之一。隨著“碳中和”、“新基建”的提出，第三代半導體需求高漲，站上風口。

SiC方面，華為哈勃成立至今，已投資了8家第三代半導體相關企業(yè)，其中SiC企業(yè)就有4家，設計外延和襯底領域，足見華為對SiC的重視和看好。

GaN方面，早在幾年前，華為就已經在其4GLTE****中采用了氮化鎵功率放大器；2020年，華為發(fā)布了65WGaN（氮化鎵）雙口充電器，有傳言稱，此款充電器很有可能就是華為自研；同年8月，華為智能汽車解決方案BU總裁王軍在公眾場合透露，華為目前正在研發(fā)激光雷達技術。而GaN晶體管的進步已被證明是開發(fā)高精密激光雷達系統(tǒng)不可或缺的一部分。

文稿來源：化合物半導體市場，Amber