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臺(tái)IC設(shè)計(jì)前3季聯(lián)發(fā)科穩(wěn)居每股獲利王敦泰群聯(lián)位居二三名

　　IC設(shè)計(jì)第3季財(cái)報(bào)全數(shù)公布完畢，累計(jì)前3季，聯(lián)發(fā)科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元，穩(wěn)居IC設(shè)計(jì)每股盈余獲利王，也是稅后凈利獲利王，其次是觸控IC廠F-敦泰(5280-TW)，前3季每股稅后盈余為13.67元，排名第二，第三名則是FLASH控制晶片廠群聯(lián)(8299-TW)，前3季每股盈余為13.34元，排名第三。　　根據(jù)公開資訊站資料顯示，聯(lián)發(fā)科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩(wěn)居IC設(shè)計(jì)之冠，表現(xiàn)亮眼，顯示行動(dòng)裝置需求持續(xù)升溫，第3季旺季效應(yīng)加持發(fā)威下，相關(guān)廠商營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)都相當(dāng)亮眼，聯(lián)發(fā)科第
關(guān)鍵字：聯(lián)發(fā)科觸控IC FLASH

下游需求高企 2014年中國(guó)內(nèi)存芯片市場(chǎng)將占全球兩成

　　TrendForce最新研究報(bào)告顯示，隨著中國(guó)市場(chǎng)近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開放，GDP成長(zhǎng)率呈現(xiàn)高度的成長(zhǎng)，所伴隨而來的就是驚人的消費(fèi)潛力，無論是PC、智能型手機(jī)與平板市場(chǎng)都把中國(guó)市場(chǎng)列入第一戰(zhàn)區(qū)。TrendForce旗下權(quán)威內(nèi)存研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，以2Gb顆粒來換算，2014年中國(guó)市場(chǎng)在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達(dá)47.89億與70.36億，分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。　　從DRAM市場(chǎng)來觀察，PC-DRAM在中國(guó)市場(chǎng)的消化量已經(jīng)來到15%，內(nèi)需市場(chǎng)的強(qiáng)勁
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM Flash

基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲(chǔ)方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　　引言　　FLASH(閃速存儲(chǔ)器)作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲(chǔ)介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性，對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。　　FLASH的特點(diǎn) 　　FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)器NVM(Non-VolatileMemory)，根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
關(guān)鍵字： FLASH NAND

OEM需求拉貨動(dòng)能增溫，第三季NAND Flash品牌營(yíng)收季增12.2%

　　第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，eMMC/eMCP與SSD的成長(zhǎng)力道均高于上半年，NAND Flash價(jià)格表現(xiàn)也相對(duì)穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營(yíng)收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世，整體N
關(guān)鍵字： NAND Flash SSD iPhone6

提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命方法

　　在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備EEPROM。為了存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實(shí)際應(yīng)用中，這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)
關(guān)鍵字： MSP430 Flash EEPROM

FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少

　　由于航天應(yīng)用對(duì)可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當(dāng)高能粒子撞擊可編程邏輯器件時(shí)，撞擊的能量會(huì)改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù)，使系統(tǒng)運(yùn)行到無法預(yù)知的狀態(tài)，從而引起整個(gè)系統(tǒng)失效。這在航天設(shè)備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢(shì)，可靠性高。　　ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應(yīng)商。它提供了多種服務(wù)，包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設(shè)計(jì)服務(wù)，定位
關(guān)鍵字： FPGA FLASH 反熔絲

一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法

　　摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。　　關(guān)鍵詞：微控制器在線仿真開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM 　　由于市場(chǎng)對(duì)MCU功能的要求總是不斷變化和升級(jí)，MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展，因此往往需要對(duì)最初的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優(yōu)點(diǎn)就在于可進(jìn)行高達(dá)上萬次的擦寫操作，順應(yīng)了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，F(xiàn)lash MCU市場(chǎng)價(jià)格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對(duì)于F
關(guān)鍵字： MCU Flash 仿真器

終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)

　　TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長(zhǎng)9%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長(zhǎng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(zhǎng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀察的重
關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置

基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

　　摘要：本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運(yùn)行程序時(shí)，采用SWI軟中斷的方法實(shí)現(xiàn)同時(shí)寫片外FLASH的例子，詳細(xì)講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計(jì)SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。　　1 背景描述　　筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
關(guān)鍵字： ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409

上海海爾：向通用MCU進(jìn)發(fā)

　　今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機(jī)產(chǎn)品，有其自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計(jì)提供了多樣選擇。　　專注于專用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么? 　　處于從專用向通用MCU升級(jí)的開端　　MCU(單片機(jī)，微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機(jī)，而日本、
關(guān)鍵字：海爾 MCU Flash 201408

基于LVDS的高速圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LVDS FPGA Flash

競(jìng)逐eMMC商機(jī)　Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

2013年eMMC需求在智能手機(jī)市場(chǎng)帶動(dòng)下大幅成長(zhǎng)，2014年，平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待，尤其在中國(guó)大陸銷售的平板電腦中，有90%尚未采用eMMC，這可能進(jìn)一步擴(kuò)大eMMC市場(chǎng)規(guī)模，引來業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
關(guān)鍵字： Flash 控制芯片

FPGA中Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證

　　隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善，F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲(chǔ)器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過實(shí)際的讀寫操作驗(yàn)證
關(guān)鍵字： Flash 驅(qū)動(dòng) FPGA

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

　　靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM)，簡(jiǎn)稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào)，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。　　1、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32

基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計(jì)方案

本文提出一個(gè)基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實(shí)現(xiàn)方案，該方案利用硬件對(duì)SPI Flash進(jìn)行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預(yù)充電等操作，同時(shí)編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進(jìn)行移植和復(fù)用，作為SOC芯片的功能模塊。
關(guān)鍵字： FPGA Flash SOC CPU VHDL